PECVD TEOS中的掺杂？PECVD TEOS不仅可以用来制作USG,PSG,BPSG,FSG等。USG，是未掺杂的SiO2。PSG，是掺磷的SiO2；BPSG，是掺硼、磷的SiO2；FSG，是掺氟的SiO2。以上薄膜均可以用PECVD TEOS工艺来制得，通过掺入对应源材料，实现薄膜的掺杂。磷源常使用TMP（P(OCH3)3）或TEPO 磷硼源常使用TMB 氟源常使用SiF4...
PEC***VD TEOS中的掺杂? PECVD TEOS不仅可以用来制作USG,PSG,BPSG,FSG等。 USG,是未掺杂的SiO2。PSG,是掺磷的SiO2;BPSG,是掺硼、磷的SiO2;FSG,是掺氟的SiO2。 以上薄膜均可以用PECVD TEOS工艺来制得,通过掺入对应源材料,实现薄膜的掺杂。 磷源常使用TMP(P(OCH3)3)或TEPO 磷硼源常使用TMB 氟源常使用S...
PECVD TEOS中的掺杂? PECVD TEOS不仅可以用来制作USG,PSG,BPSG,FSG等。 USG,是未掺杂的SiO2。PSG,是掺磷的SiO2;BPSG,是掺硼、磷的SiO2;FSG,是掺氟的SiO2。以上薄膜均可以用PECVD TEOS工艺来制得,通过掺入对应源材料,实现薄膜的掺杂。磷源常使用TMP(P(OCH3)3)或TEPO磷硼源常使用TMB 氟源常使用SiF4或FTES...
该方法的基本原理是,将TEOS(四乙氧基硅烷)作为前驱体,通过气体携带的方式将其引入反应室中,然后通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术,在基片表面沉积出二氧化硅膜。在反应过程中,TEOS分解产生的SiO2沉积在基片表面,同时产生的乙醇和乙烯等有机物则通过气体携带的方式排出反应室。 该方法的优点在于,TEOS是一种低毒...
1. 前驱体气体:常用的SiO2前驱体气体有TEOS(四乙氧基硅烷)和SiH4(硅烷)等。不同的前驱体气体会影响薄膜的化学组成和物理性质。 2. 气体流量:控制前驱体气体的流量可以调节沉积速率和薄膜厚度。 3. 气体比例:混合气体中各种气体的比例会对薄膜的化学组成和性质产生影响。 4. 沉积温度:温度对薄膜的致密性、结晶度...
A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system was utilized to deposit silicon dioxide thick film using vapor TEOS (Si(OC2H5)4) and oxygen. And the refractive index of SiO2 film was modified by adding vapor TMP (P(OCH3)3) for doping phosphorous. The p-doped SiO2, with its ...
采用TEOS源CVD技术生长SiO2,其膜厚度均匀(±1.5%,2英寸衬底);折射率可控制在1.453±0.001内,折射率稳定,且退火后不会改变;与高温退火技术相结合,可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。 图1是TESO PECVD SiO2-生长系统结构图。 图2是氧化硅生长速率随衬底温度的变化。 图3是生长氧化硅的折射率随衬底温度的...
一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法,清洗硅片表面,将硅片放入反应室;采用He作携带气体,用鼓泡法将TEOS和H2O携带进入反应室;通过水浴加热装置,使TEOS恒温在30℃-50℃,H2O恒温在20℃-30℃;对氧化硅进行高温退火,高温退火的温度为800℃-1200℃,退火时间为0.5-2小时。采用TEOS源CVD技术生长SiO2,其膜厚度均匀(...
ThedepoSitionrateofSiO2 film decreaSeSWiththe temperaturein therangeof150C to 350C .The SiO2 depoSition from TEOS and~2O proceedSaS folloWingtWoStepS, 1.~ydrolization,Si(OC2~5D4+ 4~2O- Si(O~D4+ 4C2~5O~, 2.CondenSation,Si(O~D4-SiO2+ 2~2O. IntheplaSma,theinitialhydrolizationof...
目前公司的 PECVD 设备已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 制造工艺需求，产品能够兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、 LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多种反应材料。公司已于 2018 年向某国际领先晶圆厂发货一台 PECVD 设备用于其先进逻辑芯片制造研发产线，2020 年某国际领先...