在淀积第一道侧墙之前,我们会对晶圆表面先进行清洗以确保晶圆表面洁净 NITR工DEOXIDE) 度,从而保证产品具有良好的性能。对于侧墙的oNO(0XIDE 结构,它是氧化层一氮化层一氧化层组成的多层膜,常以ONO三层结构做为介电质 (类似电容器),以储存电荷,使得数据得以在此存取。在此氧化层一氮化层一 氧化层三层结构,...
Characterization of Fluorine and Carbon-Doped Silicon Oxide Film Deposited by PECVDPECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换... DING ShiJin,ZHANG...
tract obstruction as a confounding factor in the assessment of the impact of pulmonary regurgitation on the right ventricular size and function in patients after repair of tetralogy of Fallot. 正确的心室流出短文阻碍作为一个迷惑因素在对肺反流的冲击的评估对正确的心室大小和作用在患者在法乐氏四联症以后...
14 万方数据上海交通大学工程硕士学位论文 第三章 炉管 TEOS机台群组产能提升问题的定义及量测图 11 TEOS Dep为了生成 SiO2 (即红框中的 Spacer Oxide) Fig.11 TEOS Dep is for the SiO2 which means the Spacer Oxide in the picture 制备二氧化硅有很多种方法[17]239-262,按行为模式可以分为以下三种方式,...
童 吸附 反应 图1.1 LPCvD薄膜淀积的基本过程 (五)LPCvD在炉管中的应用 (1)化学气象淀积反应(CvD reaction); (2)TEOS的氧化(TEOS—Oxide); (3)高温氧化(HTO); (4)多晶硅(Poly—Si); (5)氮化物(Nitride)。 (六)三种CVD工艺的比较如表1.1 表1.1三种CvD工艺比较 淀积方法 性能 APCvD 低温IPCvD 中温LPC...
Nitrogen OxideNO0 - 100 ppmMIDAS-E-NOX Nitrogen TrifluorideNF30 - 40 ppmMIDAS-E-HFX OctofluorocyclopenteneC5F80 - 40 ppmMIDAS-E-CFX Oxygen Proficiency & DeficiencyO20 - 25% volMIDAS-E-O2X OzoneO30 - 0.4 ppmMIDAS-E-O3X PhosphinePH30 - 1.2 ppmMIDAS-E-PH3 ...