TEOS—O3系常压CVD技术 多层布线化学汽相沉积四乙氧基硅烷臭氧摘要:松浦正纯不详陈学珍不详vip微电子技术
TEOS—O3常压CVD膜形成技术 下载积分:2990 内容提示: 第22卷第4期 、徽电子技术 vo1.22,No.4 M ICROELECTRONIC TECHNOLOGY 1994~8月 ～ , TEOS一0。常压CVD膜 形成技术。 吉村 正树 一、 前言料 -7_ .c1] 随着器件的高集成化,绝缘膜平坦化便成了更为重要的课题。因此,人们正广泛讨论替 代原 来SiH...
CVD法采用TEOS-O-,3-沉积二氧化硅膜
一,TEOS/O3常压CVD技术利用TEOS[tetraethylorthosilicate(四乙氧基硅烷)]与O3在常压下化学反应的低温SiO2膜形成技术,它在具有优越的台阶覆盖,低颗粒度,自平坦化特性等... 池田浩一,长风 - 《微电子技术》 被引量: 0发表: 1994年 TEOS-O_3系常压CVD技术 一,前言目前,LSI随着器件结构的微细化,运用多层布线技术...
(TEOS)andO3asprecursorsbychemicalvapordeposition.FortheatmosphericchemicalvapordepositiontheoptimalexperimentalconditionofcoatingisdeterminedbytheanalysisofdifferenttemperatureanddifferentflowrateofTEOS anddifferentO2/TEOSratio.TheuniformitywastestedbyaqueousHFetchrate.Optimizationstudiesindicatethatattemperature400 uniformity....
通常淀积s02薄膜是将APCVD TEOS/O3方法和其他方法结合起来使用,如将⒏H4/o2和TEOS/O3两种方法联用。这一方面是利用以TEOs/O3为反应剂能改善薄膜的台阶覆盖特性,另一方面能减小TEOS/O3在淀积厚膜时带来的张应力和减弱TEOS/03对下面膜层的敏感度。 用TEO。方法即可以淀积非掺杂sQ薄膜,用于金属层之间的绝缘层,也可以...
SiO2 was deposited on the substrate utilizing tetraethoxysilane (TEOS)and O3 as precursors by chemical vapor deposition. For the atmospheric chemical vapor deposition the optimal experimental condition of coating is determined by the analysis of different temperature and different flow rate of TEOS and...
We previously reported that organic solvent (ethanol) treatment of a film formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) remarkably improved the gap-filling property of O-3-tetraethylorthosilicate (O-3-TEOS) atmospheric pressure chemical vapor deposition (AP-CVD) film. Based on these...
TEOS—O3常压CVD膜形成技术TEOS—O3常压CVD膜形成技术 吉村正树;黎铭 【期刊名称】《微电子技术》 【年(卷),期】1994(022)004 【总页数】6页(P23-28) 【作者】吉村正树;黎铭 【作者单位】不详;不详 【正文语种】中文 【中图分类】TN405.97 【相关文献】 1.TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果 [J], ...
专利名称：DEPOSITION OF O3-TEOS OXIDE FILM AND DEPOSITION APPARATUS 发明人：KIN DOKYO,金 度亨,RA DOKON,羅 同根 申请号：JP特願2000-189427(P2000-189427)申请日：20000623 公开号：JP特開2001-53072(P2001-53072A)A 公开日：20010223 专利内容由知识产权出版社提供 专利附图：摘要：Array 申请人：SAMSUNG...