MR-MUF技术由SK海力士多个团队共同开发,该技术能够同时对HBM产品中所有的垂直堆叠芯片进行加热和互联,比堆叠芯片后填充薄膜材料的TC-NCF技术更高效。此外,与TC-NCF技术相比,MR-MUF技术可将有效散热的热虚设凸块数量增加四倍。 MR-MUF技术另一个重要特性是采用了一种名为环氧树脂模塑料(EMC, Epoxy Molding Compound)...
感谢指股网网友lemon_meta、HBM由多层DRAM堆叠而成,目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派:SK海力士使用的MR-RUF... 感谢指股网网友lemon_meta、HBM由多层DRAM堆叠而成,目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派:SK海力士使用的MR-RUF和三星使用的TC-NCF。MR-RUF即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合...
据4月19日消息,三星半导体近期在韩国官网上发布两位高层关于HBM内存的访问录。其中,他们透露出三星正计划将TC-NCF技术应用于16层HBM4内存制造。 TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。 三星透露,近期已成功...
HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点,再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合,然后连接至 logic die,封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层形成互通,最终连接至基板。 其中,HBM制造中TSV成本占比最高,直接决定良率。