MR-MUF技术由SK海力士多个团队共同开发,该技术能够同时对HBM产品中所有的垂直堆叠芯片进行加热和互联,比堆叠芯片后填充薄膜材料的TC-NCF技术更高效。此外,与TC-NCF技术相比,MR-MUF技术可将有效散热的热虚设凸块数量增加四倍。 MR-MUF技术另一个重要特性是采用了一种名为环氧树脂模塑料(EMC, Epoxy Molding Compound)...
感谢指股网网友lemon_meta、HBM由多层DRAM堆叠而成,目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派:SK海力士使用的MR-RUF和三星使用的TC-NCF。MR-RUF即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而TC-NCF中文称热压非导电薄膜,是一种在各DRAM层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。随着H...
目前国产设备商积极布局该领域,例如普莱信的Loong系列热压键合机,拥有LoongWS和LoongF两种机型,贴装精度达到±1μm@3σ,其中LoongWS可以支持TC-NCF、MR-MUF等HBM堆叠键合工艺,LoongF支持FluxlessTCB无助焊剂热压键合工艺,适用于下一代HBM芯片。随着中国半导体技术的进步和普莱信Loong系列TCB设备的推出和量产,国产厂商在H...
据4月19日消息,三星半导体近期在韩国官网上发布两位高层关于HBM内存的访问录。其中,他们透露出三星正计划将TC-NCF技术应用于16层HBM4内存制造。 TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。 三星透露,近期已成功...
HBM堆叠技术。HBM堆叠技术采用的TCB键合工艺: TC-NCF和MR-MUF. 当前韩国海力士采用MR-MUF, 三星和美光采用TC-NCF. 目前,相关设备玩家基本来自全球芯片键合TOP设备大厂:BESI, ASM,HANMI, SE - Jerry@dy于20240807发布在抖音,已经收获了16个喜欢,来抖音,记录美好生活!
HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点,再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合,然后连接至 logic die,封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层形成互通,最终连接至基板。 其中,HBM制造中TSV成本占比最高,直接决定良率。
nCF/GeD9zHO9/xIX77l36SdRV42Su+iEZ7fv6nfoAXfekf5MJTn8XTnnEnf+6/+A6++Rtey9/8ru/m6q3E5mzDr//6Ww+RcFXTEL1nngYZFqtMZcVCpK0hRGl7nHXUdS3Lhn7i5GwrN28KPPzQQywXS7HWJCEuQKlwEAzyNE0YJZagEILQEJIkj89+PhjYx3HC+wmrnRw6JOpKPIFZCc/dWdHjOeuAzDiORZOV6DrJlzRKkpOskxQoa5zM7Y6OGYeexXJFs/foW...