新颖的S掺杂:S掺杂二维g-C3N4用于光催化酚降解和制氢 半导体基光催化技术被认为是通过分解水制氢和降解无机和有机污染物来解决能源与环境危机问题的关键技术。g-C3N4作为一种常见的光催化剂,具有二维层状结构,易于合成。然而,较小的比表面积,光生电子-空穴对的快速复合和较低的载流子传输能力,限制了其实际应用。近...
硫原子掺杂优化g-C3N4能带结构已被广泛报道,但大多数S掺杂只能使g-C3N4的带隙减小不超过0.2 eV,相应的光吸收提高仅约36 nm。近日,西安工程大学李云锋副教授、东北师大邢艳教授以及长春应化所宋术岩研究员以硫代乙酰胺为硫源和封端剂,首次制备了带隙可调的S掺杂端甲基化g-C3N4纳米片(SMCN)。实验结果和DFT计算表...
烧,得到2d/3d混合维度s掺杂g-c3n4基范德华异质结光催化剂(cncns)。 30.图1说明所制备的材料是g-c3n4,与s掺杂的2d g-c3n4(cns)和花状g-c3n4(cn)相比较,锋强度明显降低,归因于形成了范德华异质结,抑制了晶体结构的生长。图2说明s掺杂g-c3n4基范德华异质结光催化剂具有2d/3d混合维度的结构特征。 31.在...
水中高浓度和多类污染物的高效去除是缓解环境危机的有效途径。 该工作通过一步原位生长法制备了一种蜂巢状一体化S掺杂的g-C3N4-NiCo2O4催化剂,通过该催化剂激活PMS,实现了在极短的时间内全天候超效降解各种高浓度污染物。 该研究详细优化了系列关键参数(初始污染物浓度、PMS浓度、初始pH值、阴离子、不同水体和腐...
本发明提供了一种简便、特殊的s、p掺杂的g-c3n4管中管的制备方法,该方法包括以下步骤: (1)将三聚氰胺、磷酸二氢铵和二苄基硫醚混合,得到均匀的混合物; (2)将步骤(1)的混合物升至550-700℃进行煅烧,煅烧产物即为s、p掺杂的g-c3n4管中管。 上述步骤(1)中,磷酸二氢铵和三聚氰胺的质量比为0.1-0.5:100,二...
4、所述s、k共掺杂g-c3n4纳米片制备方法为: 5、步骤1,将三聚硫氰酸和钾盐进行混合研磨,得到前驱体后进行煅烧; 6、步骤2,将冷却后的煅烧产物进行研磨,然后加入分散剂,进行超声处理,反应结束后进行离心分离收集沉淀,沉淀经洗涤干燥并研磨,制备得到s、k共掺杂g-c3n4纳米片,即为skcn光催化剂。
一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法说明:本发明公开了一种S、P掺杂的g‑C3N4管中管及其制备方法,其制备过程为:将三聚氰胺、磷酸二氢...专利查询请上爱企查
光吸收范围,从而产生更多的光生载流子.此外,额外的表面杂质将有助于e?-h+对的分离,其光催化活性明显高于单纯的g-C3N4. 综合一维纳米结构、硫掺杂和S型异质结的优势,本文采用静电纺丝和煅烧法制备了一系列硫掺杂的g-C3N4(SCN)/TiO2 S型光催化剂.制备的SCN/TiO2复合材料在光催化降解刚果红(CR)水溶液中表现...
在此,通过多步煅烧与溶剂热法相结合,成功制备酞菁钴/氧掺杂g-C3N4(CoPc/OCN)复合光催化剂。多步煅烧的g-C3N4更容易形成O掺杂,而乙醇溶剂热法被利用来提高CoPc在OCN纳米片表面的分散度,并通过结合氢键形成S型异质结。此外,CoPc本身的活性位点和优良的光热特性可以进一步提升CoPc/OCN S型异质结的光热辅助光催化产...
类石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种新型光催化材料,在光解水产氢等领域具有广阔的应用前景,研究表明,非金属掺杂(O、S等)能提高其光催化活性。g-C3N4具有和石墨相似的层状结构,其中一种二维平面结构如下图所示。N0C回答下列问题:(1)基态C原子的成对电子数与未成对电子数之比为___。(2)N、O、S的第一电离能...