2014-金属元素掺杂g-C3N4的制备及其光催化性能研究
g-c3n4的过渡金属掺杂是一种有效的改性方法,可以显著提高其光催化性能.过渡金属如fe,ni,cu,zn等被掺杂到g-c3n4的结构单元中,可以成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱,从而延长电子与空穴的复合时间.这种掺杂方式有助于改善g-c3n4的光催化性...
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本发明涉及一种过渡金属掺杂g‑C3N4粉体及其制备方法。其技术方案是:按含氮化合物∶过渡金属无机盐的质量比为1∶0.01~0.05配料,混合,得到混合物。按固液比为16.8~21.0g/L,将混合物加入有机溶剂I中,搅拌,于150~180℃条件下水热处理60~80h,然后用有机溶剂II洗涤,抽滤,于60~80℃条件下干燥8~10h,得到过渡...
基于金属掺杂g‑C3N4的可见光催化中空纤维超滤膜及制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,基于金属掺杂g‑C3N4的可见光催化中空纤维超滤膜及制备方法说明:本发明公开了一种基于金属掺杂g‑C3N4的可见光催化中空纤维超滤膜及制备方法,属于膜分离技术领...专利查询
专利名称 含有g-C3N4和金属掺杂的BiVO4的电极及其在光电催化中的应用 申请号 2018113195487 申请日期 2018-11-07 公布/公告号 CN111155138A 公布/公告日期 2020-05-15 发明人 邹吉军,潘伦,祁洁,张香文,王莅 专利申请人 天津大学 专利代理人 赵天月 专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 专利...
化学掺杂改性能够很好地改变g-C3N4的电子结构, 从而改善光催化性能,g-C3N4的掺杂主要包括了金属掺杂和非金属掺杂。金属元素掺杂主要包括Fe、Ni、Cu、Zn等,一般认为将少量金属离子掺杂到g-C3N4结构单元中,可使其成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱,延长电子与空穴的复合时间,从而提高了g-C3N4光催化性能。非金属掺杂...
金属氧化物纳米结构/ P掺杂g-C3N4纳米片的功能自组装及其低/无Pt负载条件下高效稳定可见光催化制氢,利用自组装法将n-型金属氧化物均匀组装至P掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片表面,解决了复合材料在光催化过程中由于材料团聚和界面接触差导致的载流子复合和传输阻力大的
石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种典型的无金属光催化剂,在光催化降解各种有机污染物方面引起了人们的广泛关注。本研究通过热氧化法和元素掺杂关联法成功制备了三维磷掺杂多孔g-C3N4纳米薄片。这种三维P掺杂多孔g-C3N4纳米片具有丰富的平面...
本研究采用简单的共沉淀-煅烧法制备了漂浮氮化碳掺杂铁酸铜催化剂(CNCFEp)。将所制备的催化剂应用于可见光辐照下过一硫酸盐(PMS)的催化活化降解抗生素(Vis/CNCFEp/PMS体系)。在CNCFEp(2.0 g/L)和PMS(0.1 g/L)存在下,在中性条件下,97.6%的磺胺甲嘧啶(SMT,10 mg/L)在30分钟内降解,而伴随水基质观察到的影...