作者制备了两种P掺杂C3N4负载Cu单原子催化剂,分别为Cu配位原子为3个N原子(CuN3@PCN)和3个P原子(CuP3@PCN)结构。XPS和XANES结果表明CuN3中的Cu价态高于CuP3。EXAFS结果表明Cu在CuN3@PCN和CuP3@PCN结构中的配位原子分别为3个N和3个P原子。 CuN3@PCN光催化CO2还原的产物仅有CO,产率为49.8umol/gh,高于CuP3@PCN...
p掺杂c3n4是一种由碳、氮和磷元素构成的纳米材料,具有良好的光吸收性能和光催化活性。通过p掺杂,可以调节c3n4的能带结构,提高其光催化活性和稳定性。而将单原子负载在p掺杂c3n4上,可以进一步提高催化剂的活性和选择性。因此,p掺杂c3n4负载单原子催化剂在催化领域中具有广阔的应用前景。 接下来,我们来看一下p掺杂...
合成第二步,以次磷酸钠(SHP)为固体P源,在350℃下进行气固P掺杂反应,在此过程中,次磷酸钠热解释放出磷化氢气体,并与g-C3N4在气固反应模式下反应。通过P掺杂,成功制备了表面粗糙、疏松的三维多孔超薄g-C3N4纳米薄片。基于CVD中气体...
作者制备了两种P掺杂C3N4负载Cu单原子催化剂,分别为Cu配位原子为3个N原子(CuN3@PCN)和3个P原子(CuP3@PCN)结构。XPS和XANES结果表明CuN3中的Cu价态高于CuP3。EXAFS结果表明Cu在CuN3@PCN和CuP3@PCN结构中的配位原子分别为3个N和3个P原子。 CuN3@PCN光催化CO2还原的产物仅有CO,产率为49.8 umol/gh,高于CuP3@P...
在本次研究中,加入磷元素是为了调节g-C3N4的性能,同时还提供了牺牲剂和Pt助催化剂以帮助有效地光催化制氢。结果表明,以不同的碳磷比制备的催化材料的催化性能是不同的。P掺杂的g-C3N4的最高产生H2的速率为318μmol h-1g-1,,是未掺杂时的2.98倍。本研究为高效修饰g-C3N4开辟了一条简单、环保、可持续的新...
文章要点2:研究发现,P掺杂可以在g-C3N4的带隙中引入中间带隙态,从而拓宽了g-C3N4的光响应范围,提高了g-C3N4的电导率。此外,P掺杂g-C3N4和MoP界面上的Mo-N键可作为电子“传输通道”,从而促进电荷从P掺杂g-C3N4转移至MoP,同时肖特基势垒促进光生载流子的分离。 文章要点3:测试表明,所优化的P掺杂g-C3N4/MoP光...
研究团队合成了一种新颖的P掺杂MoS2/g-C3N4层状结构复合材料,它可以暴露更多的活性位点,并通过形成Mo-N键产生强相互作用用于光催化杀菌。通过实验和理论证实,P掺杂的MoS2/g-C3N4异质结构不仅产生双层内建电场来驱动电荷的转移,还有利于分离氧化还原位点进...
Au/g-C3N4金属/氮化碳复合材料 聚合物半导体石墨相氮化碳(g-C3N4), 碘掺杂改性石墨相氮化碳 荧光氮化碳量子点(g-C3 N4 QDs) 磷掺杂的介孔石墨类氮化碳(P-mpg-C3N4) 石墨相氮化碳纳米管(CN-NTs)光催化剂 铈掺杂石墨相氮化碳 镍掺杂石墨相氮化碳 ...
g-C3N4的过渡金属掺杂是一种有效的改性方法,可以显著提高其光催化性能。过渡金属如Fe、Ni、Cu、Zn等被掺杂到g-C3N4的结构单元中,可以成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱,从而延长电子与空穴的复合时间。这种掺杂方式有助于改善g-C3N4的光催...
的钴钼共掺杂介孔g-C3N4,同时整合钴掺杂和钼掺杂各自的优点,进一步提高光 催化活性,降解RhB和产氢的催化速率分别是纯g-C3N4的10.1和8.6倍。由于钴 钼之间的协同效应,共掺杂的g-C3N4具有更大的比表面积、更丰富的介孔结构、 更多的活性位点、更大的可见光吸收范围以及更强的还原性,因此光催化活性得到 ...