基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁...
中国科学: 物理学 力学 天文学 2016年 第46卷 第10期: 107306 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica physcn.scichina.com 评述 微纳电子技术进展专辑 STT-MRAM存储器的研究进展 赵巍胜①②*, 王昭昊①②*, 彭守仲①②, 王乐知①②, 常亮①②, 张有光①②① 北京航空航天大学, ...
摘要: 基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM... 查看全部>> ...