?IEDM2019STT-MRAM新亮点通过在单个芯片中实现性能的高度可调多样性就好像嵌入了多个异构存储器一样高性能和高保留率的存储器都可以在同一芯片中实现从而形成了混合存储器 IEDM 2019 本届会议有七篇重要的STT-MRAM论文描述了该技术的进展。现在介绍如下: 1.工业应用中可靠的1Gb独立自旋转扭矩MRAM Sanjeev Aggarwal等,...
三星表示,如图15所示,在28nm FD-SOI逻辑中,单独的8 Mb芯片可以在不同的区域拥有高保留或高速STT-MRAM混合存储器。 图15.可以具有两个不同子区域的片上混合存储器的示意图,这些子区域具有调制的非易失性的MTJ阵列: I区具有宽松的非易失性以实现高速操作,II区具有严格的非易失性以实现高保留要求。 在220℃下...
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁...
集微网消息，近日，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。图片来源：中科院微电子研究所 中科院微电子研究所官方消息显示，该课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜...
技术研究领域取得了阶段性进展.该课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司,基于200mm CMOS先导工艺研发线,自主研发原子层级磁性薄膜沉积,深紫外曝光,原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块,在国内首次实现了晶片级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备,为新型定制化STT-MRAM非挥发存储器的研制奠定...
最新研究!STT-MRAM微缩到10nm以下 非易失性存储器技术正在助力汽车、人工智能和物联网等应用领域降低半导体集成电路的功耗。自旋电子学作为其分支,备受关注。特别是自旋转移矩磁阻存储器(STT-MRAM)技术,被视为极具前景的商业化方向。 STT-MRAM的存储层由钴铁硼(CoFeB)和氧化镁(MgO)构成,这种结构被称为磁隧道结(...
MRAM技术始于1984年,当时Albert Fert和PeterGrünberg发现了GMR效应。 在20世纪80年代中期,支持者认为MRAM最终将超越竞争技术,成为占主导地位甚至是通用的存储器。1996年,自旋转移力矩被提了出来,这个发现使磁隧道结或自旋阀能够被自旋极化电流修改。基于这一点,摩托罗拉开始了他们的MRAM研究。一年后,摩托罗拉开发出一种25...
非易失性存储器即使在电源关闭时也能保留信息,有望显著降低汽车、人工智能和物联网等应用中半导体集成电路的功耗。目前,自旋电子学被用作非易失性存储器。基于该技术的自旋转移矩磁阻存储器(STT-MRAM)的商业化正在取得进展。 该存储器采用钴铁硼(CoFeB)层夹在氧化镁(MgO)层之间的结构,作为存储数据的磁隧道结(MT...
编号: 2015DFE12880),中国博士后 科学基金(编号: 2015M570024)和北京市科委项目(编号: D15110300320000)资助 摘要 基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM, STT-MRAM)具 有非易失性,可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器...