- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。- 在一些新型的芯片架构中，将嵌入式磁存储芯片 STT-MRAM 应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长，降低整体使用...
STT-MRAM对比其他产品的特点优势：1，速度更快，作为主控大脑与用户之间的存储设备，具备更快的读写速度→更换psRAM和SRAM2，非易失性，断电数据也不会丢失，无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR Flash3，无电容器，无需电池,很对使用纽扣电池的低功耗设备→更换nvSRAM+Super Cap。和SRAM+电池 STT-MRAM应用市场...
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。STT-MRAM的优点•足够快，可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM•非易失性，无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR•无电容器，无...
Everspin xSPI STT㏑AM封装8DFN，容量高达64Mb，非常适合这种特殊的使用情形。它具有极高的写入速度、低写入能耗和几乎无限的写入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量优势，但大型NOR芯片并不便宜，没有迹象表明MRAM无法扩大规模和成本的综合水平。样品联系代理商英尚微电子。
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。 STT-MRAM存储的结构简单,它省略了带磁性外壳的附加写信息线,最大限度地减少了制备工艺程序,并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快,满足高性能计算机系统的设计要求。
STT-MRAM是一种颠覆性技术，可以在从消费电子和个人计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多领域，改变产品的性能。它还有潜力在半导体工业中创造新的领域，并使尚未设想的全新产品成为可能。STT-MRAM在关键的初始市场上已取代嵌入式技术（eSRAM，eFlash和DRAM），并提供65nm及更高的新功能。在汽车应用中比eFlash具有更...
STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。 由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此ST...
数据记录应用STT-MRAM芯片S3R1016 Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器...
应用于STT-MRAM的低功耗读写电路研究与设计.pdf,摘要摘要 自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)作为一种新兴的存储器,凭借其非易失性、 零静态功耗、近乎于无限的可擦写次数、较高的集成度和与 CMOS 工艺兼容等优势,使 其成为下一代片上缓存和通用存储器的候选存储器之一
数据记录应用STT-MRAM芯片S3R1016 Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是最理想的内存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。 Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(...