STT-MRAM 是指采用自旋注入磁化反转(spin transfer torque:STT)数据擦写技术的磁存储器(MRAM)。这种存储器具有非易失性、运行速度快、擦写次数无限制等半导体存储器的理想性能。 STT-MRAM 备受期待的应用是,通过替代电子设备的主存储器及缓存所使用的 DRAM 及 SRAM,使其具备非易失性,以大幅降低功耗。这种存储器也...
- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。- 在一些新型的芯片架构中，将嵌入式磁存储芯片 STT-MRAM 应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长，降低整体使用...
STT-MRAM对比其他产品的特点优势：1，速度更快，作为主控大脑与用户之间的存储设备，具备更快的读写速度→更换psRAM和SRAM2，非易失性，断电数据也不会丢失，无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR Flash3，无电容器，无需电池,很对使用纽扣电池的低功耗设备→更换nvSRAM+Super Cap。和SRAM+电池 STT-MRAM应用市场...
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。STT-MRAM的优点•足够快，可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM•非易失性，无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR•无电容器，无...
代码和数据整合xSPI STT㏑AM应用场景 Everspin xSPI STT㏑AM在代码和数据整合的应用场景中，应用程序代码和少量数据存储在同一个内存芯片中。这有时需要满足严格的成本和空间(如物理板空间)要求。代码在启动时加载到RAM中。文件系统可用于存储数据，也可能用于存储固件，但经常会使用原始访问。由于NORflash成本低、...
Everspin xSPISTT‐MRAM在代码和数据整合的应用场景中,应用程序代码和少量数据存储在同一个内存芯片中。这有时需要满足严格的成本和空间(如物理板空间)要求。代码在启动时加载到RAM中。文件系统可用于存储数据,也可能用于存储固件,但经常会使用原始访问。由于NORflash成本低、尺寸小,因此通常用于此目的。
晶圆代工厂联电今天宣布,与美商Avalanche Technology合作推出22纳米自旋转移矩磁性存储器(STT-MRAM),将应用于航天等领域。 联电前瞻发展办公室暨研究发展副总经理洪圭钧表示,与Avalanche Technology合作将独立的存储器解决方案投入生产,将有助于MRAM解决方案商业化,满足市场对持久性存储器不断提升的需求。
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。 STT-MRAM存储的结构简单,它省略了带磁性外壳的附加写信息线,最大限度地减少了制备工艺程序,并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快,满足高性能计算机系统的设计要求。
STT-MRAM非易失存储器特点及应用 描述 STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作,也可以像ROM/Flash一样非挥发性,保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。 STT-MRAM的优点 •足够快,可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM...