的抗磁场干扰能力进行评估.通过对STT-MRAM存储单元工作机制的深入研究,分析了STT-MRAM在读写过程中受外部磁场的干扰程度,提出了一种STT-MRAM抗磁场干扰能力试验方法,设计并搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的STT-MRAM抗磁场干扰能力试验平台,进行了STT-MRAM存储器的抗磁干扰能力试验.试验结果表明,STT-MRAM存储器的...