图1TEM中MRAM位置结构,好像其示意图并不对应。MTJ下方应该还有一个Bottom Via ,然后上方是一个比较厚的上电极再接一个Top via或者M4(如下图所示),而不是像示意图中所描绘的那样。
自旋传递扭矩MRAM具有可靠的2 ns写入能力,适用于末级高速缓存应用 报告所属:Hu, et al, IBM-Samsung MRAM Alliance 与低密度三端SOT(自旋轨道传输)设备相比,两端设备可靠的2 ns和3 ns切换,可为最后一级缓存(LLC)应用实现高速而密集的MRAM产品。使用49nm CD MTJ,在1e-6写入错误下限时,具有100%WER成品率的ST...
近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心赵超研究员与北京航空航天大学赵巍胜教授的联合团队经过3年的攻关,成功制备国内首个80纳米自旋转移矩—磁随机存储器器件(STT-MRAM)。 在北京市科委的大力支持下,中科院微电子所与北京航空航天大学的联合研发团队经过科研攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国...
GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。 MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内...
MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是...
1.工业应用中可靠的1Gb独立自旋转扭矩MRAM Sanjeev Aggarwal等,Everspin Technologies,Inc.。 Everspin长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。本文描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4STT-MRAM的产品化和优异的性能,其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。 图1. Ever...
(STT-MRAM)行业竞争格局,包括全球市场主要厂商竞争格局和中国本土市场主要厂商竞争格局,重点分析全球主要厂商自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产能、销量、收入、价格和市场份额,全球自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产地分布情况、中国自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)进出口情况以及行业并购...
高速かつ超低消費電力で動作可能な垂直磁化型STT-MRAM (Spin Transfer Torque - Magnetoresistive RAM)を使ったキャッシュメモリによってこれが実現できることを,シミュレーショシで実証した。 机译:近年来,由于CMOS(互补金属氧化物半导体)的小型化,处理器的待机功率已经增加。因此,在应用程序停止时,电源...
“具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片(采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造)声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB 的写入吞吐量/s,结温为 125°C。 ” 具有10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片(采用 22 nm 嵌入...
图片来自BusinessWire Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩传递磁阻随机存储器）的研发工作，将进入试生产阶段，采用28nm工艺制造。在去年Everspin就已经批量生产了256Mb的STT-MRAM存储芯片，让企业基础设施及数据中心增强其可靠性及性能。此次试生产的1Gb容量产品大幅提升了这类产品的容量的同时，也提供了更有效的...