专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布,继去年底首次提供预产样品之后,现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。 MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以...
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT-MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度,1M个循环的写入耐久性,在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。 ULL 22nm STT-MRAM的动机 与闪存相比,TSMC的嵌入式STT-MRAM具有明显的优势。闪存需要12个或更多额外的掩模,只能在硅基板上实现,并...
图1TEM中MRAM位置结构,好像其示意图并不对应。MTJ下方应该还有一个Bottom Via ,然后上方是一个比较厚的上电极再接一个Top via或者M4(如下图所示),而不是像示意图中所描绘的那样。
GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。 MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内...
MRAM器件由两个BEOL金属层之间的磁性可编程电阻器实现,如图2所示。 图2.示意图,显示了1 Gb阵列中的pMTJ位以及芯片的BEOL金属化中的相邻逻辑区域的集成。 磁隧道结(MTJ)由具有高垂直磁各向异性的固定磁层,MgOx隧道势垒和自由磁层组成。施加临界电压后,自旋极化电子的电流通过MgOx隧穿势垒将自由层的极化翻转为平行...
1.工业应用中可靠的1Gb独立自旋转扭矩MRAM Sanjeev Aggarwal等,Everspin Technologies,Inc.。 Everspin长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。本文描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4STT-MRAM的产品化和优异的性能,其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。 图1. Ever...
专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布,继去年底首次提供预产样品之后,现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。看来,Everspin的技术已经越来越成熟,半年多时间就可以试产第二代了。 相比于第一代,最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺,封装于DDR4,支持8-bit或者16-bit界面...
被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM),在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破性研究成果,最值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品,以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。
MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是...
2020年中国自旋转移扭矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM)市场规模达到了XX亿元,预计2027年可以达到XX亿元,未来几年年复合增长率(CAGR)为XX% (2021-2027)。 本报告研究中国市场自旋转移扭矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM)的生产、消费及进出口情况,重点关注在中国市场扮演重要角色的全球及本土自旋转移扭矩磁性随机存取存...