图1TEM中MRAM位置结构,好像其示意图并不对应。MTJ下方应该还有一个Bottom Via ,然后上方是一个比较厚的上电极再接一个Top via或者M4(如下图所示),而不是像示意图中所描绘的那样。
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT-MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度,1M个循环的写入耐久性,在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。 ULL 22nm STT-MRAM的动机 与闪存相比,TSMC的嵌入式STT-MRAM具有明显的优势。闪存需要12个或更多额外的掩模,只能在硅基板上实现,并...
自旋传递扭矩MRAM具有可靠的2 ns写入能力,适用于末级高速缓存应用 报告所属:Hu, et al, IBM-Samsung MRAM Alliance 与低密度三端SOT(自旋轨道传输)设备相比,两端设备可靠的2 ns和3 ns切换,可为最后一级缓存(LLC)应用实现高速而密集的MRAM产品。使用49nm CD MTJ,在1e-6写入错误下限时,具有100%WER成品率的ST...
近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心赵超研究员与北京航空航天大学赵巍胜教授的联合团队经过3年的攻关,成功制备国内首个80纳米自旋转移矩—磁随机存储器器件(STT-MRAM)。 在北京市科委的大力支持下,中科院微电子所与北京航空航天大学的联合研发团队经过科研攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国...
三星表示,如图15所示,在28nm FD-SOI逻辑中,单独的8 Mb芯片可以在不同的区域拥有高保留或高速STT-MRAM混合存储器。 图15.可以具有两个不同子区域的片上混合存储器的示意图,这些子区域具有调制的非易失性的MTJ阵列: I区具有宽松的非易失性以实现高速操作,II区具有严格的非易失性以实现高保留要求。
1.工业应用中可靠的1Gb独立自旋转扭矩MRAM Sanjeev Aggarwal等,Everspin Technologies,Inc.。 Everspin长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。本文描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4STT-MRAM的产品化和优异的性能,其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。 图1. Ever...
MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是...
三星表示,如图15所示,可以在28nm FD-SOI逻辑的单个8Mb芯片的单独区域中具有高保留或高速STT-MRAM混合存储器。 图15.可以具有两个不同子区域的片上混合存储器的示意图,这些子区域具有调制的非易失性的MTJ阵列:I区具有宽松的非易失性以实现高速操作,II区具有严格的非易失性以实现高保留要求。
专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布,继去年底首次提供预产样品之后,现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。看来,Everspin的技术已经越来越成熟,半年多时间就可以试产第二代了。 相比于第一代,最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺,封装于DDR4,支持8-bit或者16-bit界面...
(STT-MRAM)行业竞争格局,包括全球市场主要厂商竞争格局和中国本土市场主要厂商竞争格局,重点分析全球主要厂商自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产能、销量、收入、价格和市场份额,全球自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产地分布情况、中国自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)进出口情况以及行业并购...