STT-MRAM全称为自选转移矩-随机磁存储器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory)。在介绍STT-MRAM,我们先需要明白开发这种存储器的必要性。STT-MRAM相比与Toggle MRAM有什么优势?未来的发展方向在哪里? 磁存储器的目标是,以更快的速度、更低的功耗来完成一次读写操作。一言以蔽之就是读写操作的效率要...
MLC是Multi-level Cell(多级单元)的简称,即在一个存储器单元格中存放两个及两个以上的比特,而STT-MRAM是Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory(自旋磁存储器)的简称。 MLC STT-MRAM中的数据时存储于MTJ中,全称是magnetic tunneling junction(磁隧道结)。MLC STT-MRAM的设计主要有两种,一种是平行MTJ...
MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场,在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术(例如SOT-MRAM)甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。图1 内存制造过程 由于器件架构相对复杂,因此Everspin MRAM的生产过程分为多个阶段,在CMOS背板的顶部制作了一个磁性单元(前...