stm32f103ze是大容量的芯片,每个page2k字节,每次至少写2字节,即2*n字节数量,通常情况下,写入数据都是1->0,而不能0->1,因为这个是flash的特性决定的,如果是0->1的操作,那么必须要整个page擦除,这个和eeprom是不一样的, eeprom是可以按字节进行读写的,当然容量没有flash大,因此各有利弊。 通常,stm32flash可...
本次使用RT-Thread studio编写,使用为5.02完整版,目的是将内部flash进行分区,可以直接在内部flash存储数据。 一、功能配置 首先是打开设置里的FAL组件,因为我这里不需要外部内存,SFUD驱动就没打开: 然后是配置两个参数,一个在board.h里,定义BSP_USING_ON_CHIP_FLASH,一个是在stm32xxxx_hal_config.h里定义HAL_FLA...
FLASH物理特性(只能写0,不能写1),所以写FLASH之前需要擦除,将要写入的区域变为0xFFFF。擦除操作分为:页擦除和批量擦除; 写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一...
}//开始写数据uint32_t startAddressIndex = PAGE_START_ADDRESS + (1024*paramSizeKb);//startAddressIndex += 8,写入位置,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节for(inti =0; i < len;i ++ , startAddressIndex +=8) {//写入数据HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddres...
void Flash_EnableReadProtection(void){ FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER...
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer[i]);WriteAddr += 2; //地...
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
表7. 3.2.3 HAL库驱动部分与外设句柄相关的宏 但是对于SYSTICK/NVIC/RCC/FLASH/GPIO这些内核外设或...
{/*USER CODE BEGIN 1*//*USER CODE END 1*//*MCU Configuration---*//*Reset of all peripherals, Initializes the Flash interface and the Systick.*/HAL_Init();/*USER CODE BEGIN Init*//*USER CODE END Init*//*Configure the system clock*/SystemClock_Config();/*USER CODE BEGIN SysInit*...