HAL_SDRAM_SendCommand(hsdram, Command, 0x1000); // 发送控制指令 HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(hsdram, 761); // 设置刷新计数器 } void SDRAM_Device_Init(void) { SDRAM_Initialization_Sequence(&hsdram1, &command);//因为用的是SDRAM1,然后前面也定义了一个FMC_SDRAM_CommandTypeDef类型的command } ...
内存测试 直接定义基地址以后读写比对即可: #define Bank5_SDRAM_ADDR ((u32)(0XC0000000)) //SDRAM开始地址 #define Bank5_SDRAM_ADDR_T_1 ((u32)(0XC0000000)) //SDRAM测试开始地址 #define Bank5_SDRAM_ADDR_T_2 ((u32)(0XC1000000)) //SDRAM测试开始地址 #define Bank5_SDRAM_ADDR_T_3 ((...
tRCD是SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板BIOS经过北桥芯片进行调整，但不能超过厂商的预定范围。广义...
二、SDRAM的组成原理 2.1存储单元阵列 SDRAM 的核心是存储单元阵列，它由大量的存储单元组成。每个存储...
编写一段程序测试一下SDRAM的读写和基本吞吐性能吧。用C语言,一个指针就搞定的事情: 在F429i板子上,SDRAM是8MB容量的,接在Bank2,所以地址是 0xD0000000 开始的8MB范围,相当于2097152个32-bit字。这段程序就是用计数值将这8MB填满,随地址增加,写入的值每次加1. 同时,我用TIMER 5来定时,测试一下这个大循环用...
OP Mode指Operating Mode,SDRAM的工作模式。当它被配置为“00”的时候表示工作在正常模式,其它值是测试模式或被保留的设定。实际使用时必须配置成正常模式。 WB WB用于配置写操作的突发特性,可选择使用BL设置的突发长度或非突发模式。 Reserved 模式寄存器的最后三位被保留,没有设置参数。
只能外接SDRAM设备。 3. 使用STM32CubeMX生成工程 选择芯片型号 打开STM32CubeMX,打开MCU选择器: 搜索并选中芯片STM32F767IGT6: 配置时钟源 如果选择使用外部高速时钟(HSE),则需要在System Core中配置RCC; 如果使用默认内部时钟(HSI),这一步可以略过; ...
Refresh,即刷新命令,用于刷新一行数据。SDRAM 里面存储的数据,需要不断的进行 刷新操作才能保留住,因此刷新命令对于 SDRAM 来说,尤为重要。预充电命令和刷新命令, 都可以实现对 SDRAM 数据的刷新,不过预充电仅对当前打开的行有效(仅刷新当前行),而 刷新命令,则可以依次对所有的行进行刷新操作。
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4; TRAS定义最短的自刷新周期。SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数,V7开发板用的SDRAM支持166MHz,TRAS=7就是42ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TRAS = 4时是40ns,保险起见这里可以设置TRAS=5,实际测试40ns也是稳定的。
sdram型号:IS42S16160J 256MB bsp里面的sdram是32M的,我的板子是256M的,当SDRAM_SIZE为32M时,板子程序正常能跑,sdram_test测试正常通过,现在 河神大人 2023-08-20 17:27:53 STM32+HMC8045运动控制基础程序移植手册 STM32+HMC8045运动控制基础程序移植手册该移植手册主要有三大部分组成。第一节:介绍运动控制的...