During a write operation to the Flash memory, any attempt to read the Flash memory willstall the bus. The read operation will proceed correctly once the write operation hascompleted. This means that code or data fetches cannot be made while a write/eraseoperation is ongoing.For write and eras...
voidsaveBLEName(uint8_t*blename,uint8_tlen,uint8_tflag){HAL_FLASH_Unlock();FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);FLASH_EraseInitTypeDeff;f.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;//页面擦除f.Sector=FLASH_SECTOR_9;f.NbSectors=1;f.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;uint32_tPageError=0;HAL_StatusTypeDefstat...
HAL_StatusTypeDefHAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef*pEraseInit,uint32_t*SectorError) 形参pEraseInit是FLASH_EraseInitTypeDef结构体类型指针变量。 typedefstruct{uint32_tTypeErase;// 擦除类型uint32_tBanks;// 擦除的Bank编号uint32_tSector;// 擦除的扇区编号uint32_tNbSectors;// 擦除的扇...
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data) flash写入数据函数,需要注意的是第一个参数,决定写入数据的类型 八位,16位 32 位。 uint8_t erase_flash(uint32_t sector_start,uint32_t sector_end) { FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; uint32_t S...
//1、解锁FLASH HAL_FLASH_Unlock();//2、擦除FLASH //初始化FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_Erase...
FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit; pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//按页擦除 pEraseInit.PageAddress = addr;//擦除地址 pEraseInit.NbPages = 1;//擦除页数量 //step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 ...
// 往内部Flash写入数据 void FLASH_Inside_Wr(uint32_t addr, uint32_t Pdata) { HAL_StatusTypeDef HAL_Status; FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit; uint32_t PageError = 0; // 解锁内部Flash HAL_FLASH_Unlock(); // 擦除配置 pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; ...
确保FLASH_EraseInitTypeDef结构体中的设置是正确的。例如：c EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPE...
第四十六章 FLASH模拟EEPROM实验 1）实验平台：正点原子探索者STM32F407开发板 2) 章节摘自【正点原子】...
Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调用函数FLASH_MassErase,然后等待擦除完成,完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2 如果是扇区擦除,调用函数FLASH_Erase_Sector,然后等待擦除完成,完成之后关闭扇区的擦除请求位SER。