dprintf("Flash Erase Fail...\r\n");res = 2;goto FLASH_ERROR_EXIT;} } for (i = 0; i < num; ++i){ while(tryCount < 5){ /* 等待 */FLASH_WaitForLastOperation(50);/* 双字编程 */if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOU
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态,开始进行页擦除操作 { FLASH->CR|= CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1 FLASH->AR = Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页 FLASH->CR|= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR...
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK){ while (1){ // __set...
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORError) != HAL_OK) // Erase the Sectors{printf("Erase the IC Flash: FALSE \r\n");} // return -1; ///擦除出错按理来讲这么写没毛病吧 雾雨牌八卦炉 启动代码 7 发现好像是debug模式导致的,非调试状态下直接运行并不会发生这个问题,此贴终结...
uint8_t FlashTest[] = "Hello This is ZhangShiSan Flash Test DEMO"; 1. 2. 点击选择options 然后将代码烧录进硬件里头 然后我们进入debug模块,在view下打开memory1窗口 打开watch1窗口 开启变量自动更新Periodic Windows Update 将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch1 ...
STM32FLASH写入失败问题定位STM32F407仿真过程进行FLASH写入的时候报错:FLASH_ERROR_PROGRAM(0x00000006)STM32F407 仿真过程进行FLASH写入的时候报错:FLASH_ERROR_PROGRAM (0x00000006)定位到原因1:在flash擦除的时候(flash_erase)就已经报错,会导致写入必然报错。因为flash只能把1写成0,所以必须擦除成FF之后才能正常写入...
在KEIL中可以找到FLASH,但在ERASE时,却一直错误。 full chip erase failed! internal command error 是什么原因呢? 没有接错脚,也没有使用A13 A14 A15 B3 B4 做其他用途,拉低复位脚电压也试过。 0 2024-4-3 06:48:29 评论 淘帖 邀请回答 山中老虎 相关推荐 • 在KEIL和STM32 ST-LINK Utility...
if(HAL_FLASHEx_Erase( EraseInitStruct, PageError) != HAL_OK) //开始擦除页面 { printf("...
main.c:121 0x800ce84在调试时,我注意到如果我进入函数FLASH_PageErase(page_index, pEraseInit->Banks)程序不会卡住,闪存页面会被正确擦除。有人可以帮我找到这个错误的原因并帮助找到解决方案吗?谢谢你们。此致编辑:STM32L452 双112022-12-06 06:39:09 ...
问题表现在片内FLASH只能写0不能写1,故想到可能是擦除失败。 Debug发现果然HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);函数返回的FlashStatus始终是HAL_ERROR; 调试发现HAL库中调取FLASH标志位时会出现错误,几经修改都无法避免,甚至复位重烧都不起作用,只有通过STVP才能勉强擦除。