@文心快码stm32 flash_error_program 文心快码 STM32 Flash编程错误可能的原因及解决方法 STM32在进行Flash编程时可能会遇到错误,这些错误通常与硬件状态、软件配置或操作流程有关。以下是一些常见的Flash编程错误原因及其解决方法: 硬件状态问题: Flash处于写保护状态: 确保Flash未处于写保护状态。可以通过读取相关...
STM32FLASH写入失败问题定位STM32F407仿真过程进行FLASH写入的时候报错:FLASH_ERROR_PROGRAM(0x00000006)STM32F407 仿真过程进行FLASH写入的时候报错:FLASH_ERROR_PROGRAM (0x00000006)定位到原因1:在flash擦除的时候(flash_erase)就已经报错,会导致写入必然报错。因为flash只能把1写成0,所以必须擦除成FF之后才能正常写入...
根据Flash原理，bit 1可以单独放电编程0，bit 0不能单独充电变成1。理论上上述操作是可行的。可实际在...
void FLASH_Unlock(void);//解锁函数:在对Flash操作之前必须解锁 void FLASH_Lock(void);//锁定函数:同理,操作完Flash之后必须重新上锁 2、Flash写操作函数 FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);//32位字写入函数 FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_...
在擦除扇区和写入扇区时报FLASH_ERROR_PROGRAM错误。可能原因:flash没有初始化。在操作前初始化即可。void drv_flash_Init(void){ FLASH_Unlock(); FLASH_Clea ...
擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH 实...
FLASH_BUSY = 1,//忙 FLASH_ERROR_PG,//编程错误 FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误 FLASH_COMPLETE,//操作完成 FLASH_TIMEOUT//操作超时 5. 等待操作完成函数 在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。
//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); ...
顾名思义分别为:FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数,其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明,32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据,写完第一次后地址+2,这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了,跟写入 16 位基...
static int FlashReadWriteTest(void) { uint32_t ucStartAddr; /* 解锁 */ FLASH_Unlock(); /* 擦除操作 */ ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255; if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(ucStartAddr)) { printf("Erase Error!\n");