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可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。 二、工程配置 下载完成后打开文件夹,将路径stm32_Flash\Drivers\CMSIS\Device\ST\STM32F1xx\Include下的system_stm32f1xx_20190722_092746.h文件修改为system_stm32f1xx.h,否则后面编译会报错 添加代码如下: #include "flash.h 1. uint8_t FlashWBuff [255]; uint...
HAL_FLASH_Lock(); } uint8_t EEPROM_ReadByte(uint32_t addr) { return *(uint8_t *)(addr); } int main(void) { // 初始化HAL库 HAL_Init(); // 打开Flash等待时间 HAL_FLASH_SetLatency(FLASH_LATENCY_5); // 解锁Flash HAL_FLASH_Unlock(); // 擦除扇区 FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTO...
我代码运行启动是使用的STM32f407内部flash,我烧录完程序运行起来后,代码区占内部sector 0-4扇区。我现在需要在程序运行期间在线升级软件。但是我用FLASH_EraseSector函数擦除0-4扇区时,卡死在FLASH_EraseSector函数里,具体问题在:执行FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;这个语句后就卡死。但是我擦除5-11扇区测试都...
void W25QXX_Write( u8* pBuffer, u32 WriteAddr, u16 NumByteToWrite ) ; //写入Flash void W25QXX_Erase_Chip( void ) ; //整片擦除 void W25QXX_Erase_Sector( u32 Dst_Addr ) ; //扇区擦除 #endif
Sector5 - Sector11 每个扇区是128KB = 128*1024 = 131072字节; 总共7个扇区 = 131072*7=917504字节 这些扇区加起来总共是1M字节 2.关于flash的擦除 2.1 F407的flash擦除的时候要求每次只能擦除某个扇区; 擦除函数是: FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange) ...
地址FLASH_Unlock();//解锁offaddr=EraseAddr-STM32_FLASH_BASE;//实际偏移地址.secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;//扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;//扇区剩余空间大小if(NumToErase<=...
1. 擦除操作未完成：在擦除FLASH_Sector_4时，可能需要一些时间来完成擦除操作。在擦除操作完成后，...
HAL_FLASH_Lock(); } F4的写入字符串: voidsaveBLEName(uint8_t*blename,uint8_tlen,uint8_tflag){HAL_FLASH_Unlock();FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);FLASH_EraseInitTypeDeff;f.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;//页面擦除f.Sector=FLASH_SECTOR_9;f.NbSectors=1;f.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3...
读写内部flash只需要几个结构体,函数就可以了。 HAL_FLASH_Unlock(); 解锁内部flash函数,默认内部flASH是锁上的,使用的时候,需要解锁。 FLASH_EraseInitTypeDef 擦除内部flash的结构体, HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError) 擦除函数 ...