对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH 实例: #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小 #define WRITE_START_ADDR ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始...
FlashWriteBuff( DEVICE_INFO_ADDRESS + sizeof(FlashTest), FlashWBuff,255 ); // д...
FLASH写：//FLASH写，不检查写入 void STMFLASH_Write_NoCheck(uint32_t WriteAddr,uint16_t *PData...
以下是一个使用STM32 HAL库实现内部Flash在线读写的代码示例: #include "stm32f1xx_hal.h" // 定义要写入的数据 uint32_t data_to_write = 0x12345678; // 定义要写入的地址,选择一个合适的扇区地址 #define FLASH_WRITE_ADDRESS ((uint32_t)0x08008000) // 解锁Flash void unlock_flash(void) { HAL...
(1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。 Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储...
我项目上使用的STM32的Flash存储的数据,STM32的Flash可以反复擦写1万次左右, 由于项目上需要反复的操作Flash,一个小时就需要操作一次,如果每次都擦写, 这样算下来一年就擦写了 8760次,也就可以用 10000/8760 = 1.1年左右就坏掉了. 解决方案思想 1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写...
1 #ifndef __FLASH_H 2 #define __FLASH_H 3 #include "stm32f10x.h" 4 u8 Write_Flash(u32 *buff, u8 len); 5 void Read_Flash(u32 *buff, u8 len); 6 void Char_To_Int(unsigned char *buffer, unsigned int *data,unsigned int position); ...
flash的成型以块(block)和扇区(sector)存在 STM32的flash在写的时候不能读,读的时候不能写,也就是说stm32在操作flash的时候程序必然是中止的,所以既不能响应中断,也不能有运行程序 During a write operation to the Flash memory, any attempt to read the Flash memory willstall the bus. The read operatio...
我们首先编写一个不检查的写入的函数。WriteAddr:起始地址,pBuffer:数据指针,NumToWrite:半字(16位)数。 voidSTMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16*pBuffer,u16 NumToWrite){u16 i;for(i=0;i<NumToWrite;i++){FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);WriteAddr+=2;//地址增加2.}} ...
*函数名称:void Flash_Write(uint32_t address,uint32_t *data,uint8_t size) *函数功能:往内部Flash里写入数据 *函数形参:address:写入数据的起始地址,data:要写入的数据的源地址,size:大小 *函数返回值:无 ***/voidFlash_Write(uint32_t address,uint32_t data) { uint32_t PageError=0;if(HAL_FL...