STL110N10F7 - N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装, STL110N10F7, STMicroelectronics
STL110N10F7是一种N沟道功率MOSFET,采用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,具有以下特点: 1. 低通态电阻:STL110N10F7的通态电阻仅为0.009Ω,能够有效降低功率损耗,提高效率。 2. 超低电容:STL110N10F7的输出电容仅为2800pF,能够快速响应高频开关,适用于高开关频率操作。 3. 高电压承受能...
STL110N10F7 ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics查看详情 PowerFLAT-5x6-8 22周 在产
制造商编号 STL110N10F7 制造商 ST(意法半导体) 唯样编号 C-STL110N10F7 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 N-Channel 100 V 6 mOhm 21 A Power Mosfet - PowerFLAT™5x6 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 STL110N10F7.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:...
系列: STL110N10F7 配置: Single 晶体管类型: 76 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
商品型号STL110N10F7 商品编号C672185 商品封装PowerFLAT-8(5x6) 包装方式 编带 商品毛重 0.224克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 107A 导通电阻(RDS(on)) 6mΩ@10V,10A 耗散功率(Pd) 136W 属...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 STL110N10F7、 场效应管、 MOS管、 半导体、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 100A 功率(Pd): 100W 导通电阻: 5mΩ@VGS=10V 阈值电压(Vgs(...
STL110N10F7 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopfuture 等渠道进行代购。 STL110N10F7 价格参考￥ 7.128 。 ST STL110N10F7 封装/规格: SMD8, MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6。你可以下载 STL110N10F7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详...
STL110N10F7 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopverical 等渠道进行代购。 STL110N10F7 价格参考￥ 5.511 。 ST STL110N10F7 封装/规格: SMD8, MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6。你可以下载 STL110N10F7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs ...
STL110N10F7STMicro数据手册功率MOSFET ￥24.6501 0当前型号 AON6220AOS数据手册功率MOSFET DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V 暂无价格6,000对比 AON6220AOS数据手册功率MOSFET DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V ...