Spin-torque magnetoresistive random access memory (ST-MRAM) is being developed for a number of purposes: extending MRAM technology to densities beyond those achieved with toggle switching, enabling embedded nonvolatile memory with a small cell size, and as an eventual successor to high-density DRAM...
国内实现晶圆级ST-MRAM存储器件 近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。 什么是STT-MRAM? STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中,电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结(MTJ)或自旋阀中实现的,ST-MRAM设备使用STT隧道结(STT-MTJ)。通过使...
Everspin技术公司位于美国亚利桑那州,是第一家提供MRAM的公司,它向特定客户供应自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)。这种非易失性存储器比当前的SSD最多快上500倍,不过很自然的——它的价格也达到了SSD的50倍。 TweakTown指出,现时大部分好的SSD性能平均在10万IOPS左右,每秒600MB的吞吐量,延迟时间以微秒计算,...
ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中,电子的自旋使用自旋极化电流翻转。 目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构,称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说,SL-ST...
缓存应用程序ST-MRAM流程和性能演示 英特尔显示了2MBST-MRAM阵列的L4缓存级应用程序性能和可靠性。这要求在工业操作温度范围内具有高密度,高带宽和高耐久性。表I中所显示STT-MRAM的L4高速缓存应用程序所需的规范。 表I.L4缓存应用程序中STT-MRAM的目标规范。
1Gigabit自旋扭矩磁阻随机存取存储器(ST-MRAM)是具有DDR4兼容接口的高耐久性持久存储器,可使存储系统厂商能够通过在不使用超级电容器或电池的情况下,提供防止电源丢失的保护来提高存储设备和系统的可靠性和性能。 企业SSD设计人员可以利用固有的电源故障安全性的快速永久性存储器,同时还减少了写入放大和过度配置,这些对于...
MRAM是被行业内广泛认为可以与RAM一样快的并且可以永久存储,MRAM比NAND闪存速度快500倍,美国公司Everspin在2017年前生产的MRAM产品容量只能容纳645Mbit的数据,2017年美国公司Everspin推出一款新的产品称为转矩MRAM(ST-MRAM),属于MRAM第三代产品,接口类似DDR3或DDDR4 RAM,但是由于MRAM是属于非易失性产品,断电时可以...
泡泡网固态硬盘SSD频道11月14日 美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布,它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商,为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍,但价格也是50倍。在性能方面,ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻:16亿的IOPS,...
Everspin的256Mb STT-MRAM(ST-DDR3)使企业基础架构和数据中心提供商无需使用超级电容器或电池即可提供防止功率损耗的保护,从而提高了高性能数据持久性至关重要的系统的可靠性和性能。 采用类似于JEDEC的DDRx接口设计,并对STT-MRAM功能进行了特定修改 高带宽(每个引脚1333 MT / s)具有真正的字节寻址能力和极低的延...
Everspin代理256MbST-DDR3自旋转移扭矩MRAM Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能,包括设备端接(ODT)和内部ZQ校准,但具有数据持久...