但比非易失性存储器快得多；功耗相对较低；集成度高，相同容量下，DRAM 的体积比 SRAM 小。
目录技术调研-ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别1一、RAM2二、ROM3三、Flash3 本文选自公众号“FPGA之家” ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
从而我们也能得出一个结论:Model4芯片充分融合了高性能内存、存储以及存储接口,结合高响应速度的96KB的SRAM以及64MB DDR2存储,支持接入NAND Flash 和Nor Flash,支持eMMC5.0接口,具备高性能、高稳定性的特点。
DRAM:速度较慢、密度高,用于主存;需刷新,易失性。 Flash:非易失性,读写慢,用于长期存储;寿命有限。 1. **存储单元结构**: - SRAM用6个晶体管/单元,结构复杂,芯片面积大。 - DRAM用1个晶体管+1个电容,结构简单,密度更高。 - Flash基于浮栅MOS管,通过电荷存储数据,非易失。 2. **速度与功耗**...
flash:闪存,存取速度慢,容量大,掉电后数据不会丢失. dram:动态随机存储器,必须不断的重新的加强(REFRESHED) 电位差量,否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格比sram便宜,但访问速度较慢,耗电量较大,常用作计算机的内存使用。反馈...
DRAM全称是Dynamic Random Access Memory,翻译过来即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 Flash Flash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名闪存,是一...
DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失...
有许多不同类型的存储设备,包括NAND Flash、NOR Flash、RAM、SRAM、DRAM、ROM、EEPROM和Flash,每种设备都有其独特的特性和应用场景。下面,我们将一一探讨这些存储技术之间的主要差异。 NAND Flash 和 NOR FlashNAND Flash和NOR Flash是两种主要的闪存技术。它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据...
DRAM是动态随机存取存储器,读写速度比SRAM慢,价格比SRAM便宜得多,同SRAM一样掉电后数据会丢失。FLASH存储器它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。反馈 收藏