其中SRAM无需刷新,读写速度最快;DRAM需刷新,速度稍慢;SDRAM和DDR通过与时钟同步等方式提高读写性能。 ROM类(ROM、PROM、EPROM、EEPROM):ROM只读;PROM只能编程一次;EPROM可紫外线擦除后再编程;EEPROM可电擦除并多次编程,使用更灵活。 FLASH类(NAND FLASH、NOR FLASH):NAND FLASH以页读、块擦,读写相对慢;NOR FL...
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。...
SRAM、FLASH和SDRAM的区别: SRAM SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存...
NAND Flash和NOR Flash是两种不同类型的闪存存储器,它们在结构、性能和应用方面具有一些不同。NAND Flash适用于大容量存储和高速连续读取,而NOR Flash适用于快速随机访问和即时执行的应用。选择合适的存储器类型取决于特定应用的要求,如存储容量、读写性能和访问方式等。 若有不对的地方,敬请指正,万分感谢。 参考资料...
(DDR基本是指DDR SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器。) 2.SRAM SRAM是CPU缓存所使用的技术,它的架构相较于DRAM要复杂很多。 SRAM的基本单元,则最少由6管晶体管组成:4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器,2个场效应管(M5, M6)用于读写的位线(Bit Line)的控制开关,通过这些场效应管...
Flash存储器：它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地...
ROM、RAM是可读与可读可写存储器的一种框架,DRAM、SRAM、SDRAM是基于RAM框架的一种实现 一、ROM 1. 介绍 ROM全拼是Read Only Memory(只读存储器),它是只读的,一旦出厂不能在写,在出厂之前会预设好它的数据,并且它是掉电不丢失的,又称为固定存储器,它使用一些特定材料存储数据,这里以磁盘为列简单说一下原理:...
DRAM的每个存储单元通常包含4比特或8比特，并通过电容保存信息，实现数据的读写。然而，电容存在漏电问题，随时间信息会丢失，因此DRAM需要周期性刷新操作以确保数据准确。SDRAM、DDR3和DDR4等技术在DRAM基础上进行优化，提升速度、功耗和可靠性，显著增强个人电脑性能。SRAM，静态随机存取存储器，结构比DRAM...
ROM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH等的区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快...