SRAM BIST测试技术的原理是通过向SRAM芯片中注入随机数据,然后检测输出数据与输入数据是否一致来进行测试。在测试期间,输入和输出数据被存储在SRAM芯片中,然后通过比较电路进行比较。如果输入和输出数据不一致,则表明芯片中存在故障。 SRAM BIST测试技术主要包括以下步骤:首先,将随机数据加载到SRAM芯片中。然后,将SRAM芯片...
高速低活性和泄漏功耗的SRAM存储器是为移动处理器开发的。这个用于低泄漏电流的电池阵列和电源切断的外围电路的睡眠模式处于待机模式,在主动模式下,通过使用虚拟地面控制的分布式解码器,泄漏功率降低了约4%。此外,采用读写时序控制减少了约25%的写入电流。带有嵌入式内置自测试(BIST)的可编程定时控制与紧凑时序控制的实...
基于ECC电路的SRAM自检测修复设计与验证 SRAM芯片内自修复模块设计与实现 TCAM Memory Bist的程序设计 嵌入式SoC片上SRAM+PUF的设计与实现 高性能memory bist设计实例论文 数字电路BIST设计中的优化技术 65nm+SRAM的设计 高速低功耗嵌入式SRAM的设计的研究 基于MEMORY COMPILER实现075微米高性能SRAM之设计方法 嵌入式CPU...
sram_bist模块:使用SRAM读写功能时,可看做8k×8的单端口SRAM;当BIST功能被使能时,将会由sram_bist内部的内建自测试电路生成Pattern对SRAM进行DFT测试。在本项目中,BIST功能将基于March C-算法设计,具体将在本文的第二章中介绍。在第一章中,我们将每个sram_bist模块视为8k×8的单端口SRAM即可 在上图中标注出了...
完整的存储结构中可能还包括测试电路模块,例如内部监测电路、BIST电路等等。 图1.1 SRAM 结构 图1.2 存储器的功能模型 图1.3 存储器的关键路径 图1.2 是SRAM的功能模型,图1.3 给出了SRAM的关键路径,也就是从地址输入开始到数据输出之间影响读出操作的通路。为了更好地理解SRAM的关键路径,首先对SRAM的读写过程进行...
要:针对I_S—DSP中嵌入的128kbSRAM模块,讨论了基于MarchX算法的BIST电路的设计。根据SRAM的 故障模型和测试算法的故障覆盖率,讨论了测试算法的选择、数据背景的产生;完成了基于MarchX算法的BIST 电路的设计。128kbSRAMBIST电路的规模约为2000门,仅占存储器面积的1.2%,故障覆盖率高于80%。 关链词:SRAM,测试,March...
其中,bist_en是MBIST的控制信号,该信号拉高则SRAM执行bist.v中的Pattern,反之则执行常规Function;sram_csn(低有效)是Chip selection(片选)信号,该信号拉低则表示当前8K SRAM被选中用来执行Function;dft_en是SRAM core的输出控制信号,该信号拉高则表示SRAM输出Test response。
完整的存储结构中可能还包括测试电路模块，例如内部监测电路、BIST电路等等。图1.2 是SRAM的功能模型，图1.3 给出了SRAM的关键路径，也就是从地址输入开始到数据输出之间影响读出操作的通路。为了更好地理解SRAM的关键路径，首先对SRAM的读写过程进行初步的分析。以读出操作为例，首先是读信号和地址信号有效，然后在...
完整的存储结构中可能还包括测试电路模块,例如内部监测电路、BIST电路等等。 图1.1 SRAM 结构 图1.2 存储器的功能模型 图1.3 存储器的关键路径 图1.2 是SRAM的功能模型,图1.3 给出了SRAM的关键路径,也就是从地址输入开始到数据输出之间影响读出操作的通路。为了更好地理解SRAM的关键路径,首先对SRAM的读写过程进行...
MBIST的EDA工具可针对内嵌存储器自动创建BIST逻辑,它支持多种测试算法的自动实现(常用算法为March C+),并可完成BIST逻辑与存储器的连接。此外,MBIST结构中还可包括故障自动诊断功能,方便故障定位和特定测试向量的开发。MB-IST的基本结构如图1所示。 整个SRAM和MBIST控制逻辑构成的整体只是在原有SRAM端口的基础上增加了...