SRAM是静态RAM,是用触发器存储信息的半导体存储器。 DRAM是动态RAM,是用电容存储电荷的原理来保存信息的存储器。 静态RAM是非破坏性读出,容量小,功耗大;动态RAM由于电容泄漏电流,因此必须每隔一定时间(一般2～8ms)之内进行刷新,需要外围刷新电路的支持。与静态RAM相比,DRAM的基本存储电路简单,故集成度搞、功耗小。SRA...
DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是DRAM的一种。（DDR基本是指DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。）2.SRAM SRAM是CPU缓存所使用的技术，它的架构相较于DRAM要复杂很多。SRAM的基本单元，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管（...
1.DRAM芯片 上一小节介绍的芯片,其实就是DRAM芯片。见下图: (详情请戳:3.2主存储器的基本组成) DRAM芯片可以用于制作主存,上图右侧的内存条上就是DRAM芯片。 DRAM芯片和SRAM芯片的核心区别就是:存储元件不一样。 <1> DRAM芯片是用栅极电容(电容的充放电)来存储和读取信息。 <2> SRAM芯片是用双稳态触发器来...
SRAM也就是静态RAM芯片,它是由触发器来存储这个信息的,说的更详细一点,应该是双稳态的触发器,触发器可以有两种稳定的状态,而DRAM是由电容栅极电容来存储二进制的0或者1的。由于采用了栅极电容,因此对DRAM的信息读出是破坏性的读出,而SRAM的读出是非破坏性的读出。那既然读操作会破坏原有的数据,因此在读操作完成之...
其中,SRAM的S是Static的缩写,全称是静态随机存取存储器;而DRAM的D是Dynamic的缩写,全称是动态随机存取存储器。 SRAM的结构如下图所示,6场效应管组成一个存储bit单元的结构: 工作原理相对比较简单,我们先来看一下写0和写1操作。 写0操作:写0的时候,首先将BL输入0电平,(～BL)...
易失性存储器主要分为DRAM和SRAM两种。 1.DRAM DRAM由许多重复的位元格(Bit Cell)组成,每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成(又称1T1C结构)。电容中存储电荷量的多寡,用于表示“0”和“1”。而晶体管,则用来控制电容的充放电。 由于电容会存在漏电现象。所以,必须在数据改变或断电前,进行周期性“动态...
总结来说,ROM是非易失性存储器,用于存储不变的数据和程序;RAM是计算机的主内存,用于临时存储和快速处理数据;DRAM是RAM的一种,使用电容存储数据,需要刷新;SRAM是另一种RAM,使用触发器存储数据,速度快但成本高,常用于高速缓存。这些存储器在计算机系统中各自扮演着重要的...
DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条(DDR)、显卡的显存(GDDR)、手机的运行内存(LPDDR),都是DRAM的一种。(DDR基本是指DDR SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器。) 2.SRAM SRAM是CPU缓存所使用的技术,它的架构相较于DRAM要复杂很多。
SRAM 和 DRAM 之间的主要区别 SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。DRAM 的存储容量更大，而 SRAM 的尺寸更小。SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。DRAM高度密集。相反，SRAM 比较少见。由于使用了大量的晶体...
SRAM是CPU缓存所使用的技术,它的架构相较于DRAM要复杂很多。 SRAM的基本单元,则最少由6管晶体管组成:4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器,2个场效应管(M5, M6)用于读写的位线(Bit Line)的控制开关,通过这些场效应管构成一个锁存器(触发器),并在通电时锁住二进制数0和1。因此,SRAM...