一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块搜索 (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210564062.X(22)申请日 2022.05.23(71)申请人 安徽大学地址 230022 安徽省合肥市蜀山区肥西路3号(72)发明人 戴成虎 刘海涛 彭春雨 赵强 卢文娟 郝礼才 刘立 蔺智挺 吴秀龙 ...
本发明涉及一种8TSRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8TSRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8TSRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式,相比传统的8T结构的存算SRAM采用的1比特输入的计算模式,能够提高计算的精度,有利于提高...
物理SRAM按工艺可分为不同类别。 其类型在存储性能等方面存在差异。传统的CMOS工艺物理SRAM应用广泛。低功耗物理SRAM能有效降低能耗。高速物理SRAM可满足高频需求。大容量物理SRAM能存储更多数据。6T SRAM是常见的物理SRAM结构。8T SRAM在读写性能上有独特优势。伪静态随机存取存储器(PSRAM)也算一种类型。 嵌入式物理...
1 4T SRAM存储单元结构 新型的4T SRAM 存储单元[8-9]由两个PMOS和两个NMOS分别作为上拉器件和传输器件构成。与传统6T SRAM相比,4T SRAM减少了两个下拉器件,即驱动器件。 这种无驱动的4T SRAM在晶体管的类型选取时,上拉器件选用高阈值电压(High-Threshold Value,HVT) 的PMOS晶体管,传输器件选用低阈值电压(Low...
存储单元结构创新方面,8T单元设计相比传统6T结构可提升25%的读取稳定性,但会增加18%的单元面积。某嵌入式处理器案例显示,采用分级供电设计后,待机状态下的漏电流降低至1.2μA/MB,这直接影响着内存模块的功耗预算分配。 典型应用场景分析 在5G基带芯片中,SRAM内存池通常划分为指令缓存、数据缓存和转译后备缓冲器(TLB...
基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器,因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程,不需要增添任何额外的工艺步骤。 如图1a中所示的那样,基本交织耦合锁存器和有源负载单元组成了6T存储单元,这种单元可以用于容量从数位到几兆位的存储器...
IWDT,LPUART - 睡眠(Sleep),停机(Stop),待机 (Standby)和深度待机(DeepStandby)模式 - 可选 VBAT 为 RTC 和 20×32 位备份寄存器 + 可选 8KB 备份 SRAM 供电 处理器 - 32 位 ARM Cortex-M4 - 内置 FPU(单精度浮点运算单元) - 内置硬件 DSP 指令单元 - 支持内存保护单元(MPU) - 三级流水线...
可选的,所述SRAM存储器为6T结构或者8T结构。 可选的,所述SRAM存储器为6T结构,其每个存储单元分别包括:第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管;所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管为上拉PMOS晶体管;所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管为下拉...
存储元作为存储器的核心单元，用于存储一位二进制信息0或1。其中，六管SRAM存储元由两个MOS反相器交叉耦合构成触发器，通过A、B两点的电位表示二进制1和0的稳定状态。写操作时，若需写入1，需在I/O线上输入高电位，开启T5、T6、T7、T8四个晶体管，将高电位加在A点，低电位加在B点，使T1截止，...
27.7.SRAM初始化结构体¶ FSMC的SRAM初始化结构体见代码清单:FSMC-2。 代码清单:FSMC-2 SRAM初始化结构体FSMC_NORSRAMInitTypeDef¶ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 /*** @brief FSMC NOR/SRAM Init structure definition*/typedefstruct{uint32_tFSMC_Ba...