8T SRAM是指使用8个传输门(Transmission Gate)和6个存储单元(Storage Cell)构成的一种存储器单元。而Dual Port表示该SRAM具有两个独立的输入/输出端口,可以同时进行读写操作。 2. 8T SRAM Dual Port的结构 8T SRAM Dual Port由两部分组成:存储单元和访问逻辑。存储单元由6个传输门和一个电容组成,每个传输门的...
(54)发明名称一种在内存中实现迭代式异或计算的8TSRAM电路结构(57)摘要本发明公开了一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构,所述电路以8T SRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元,每个8T SRAM单元包括两个交叉耦合的反相器、一对数据传输管以及一对控制晶体管,数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右...
本发明公开了一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构,所述电路以8T SRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元,每个8T SRAM单元包括两个交叉耦合的反相器,一对数据传输管以及一对控制晶体管,数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右两侧,每一侧各设置一个;控制晶体管设置于交叉耦合的反相器之间,上下各一个...
本发明涉及一种基于8TSRAM单元的电路结构,芯片和模块.8TSRAM单元包括:NMOS晶体管N1～6;PMOS晶体管P1～2.P1,P2和N1,N2交叉耦合,对存储节点Q,QB的数据进行锁存,P1的源极与P2源极电连接到VDD,开启存储节点Q,QB节点对电源通路,N1的源极与N2的源极连接到VSS,开启存储节点Q,QB节点对地通路.存储节点Q与QB通过晶...
摘要:本发明涉及存内计算技术领域,更具体的,涉及一种8T‑SRAM单元,基于该种8T‑SRAM单元的运算电路,以及基于该种运算电路构建的运算芯片。本发明提供的8T‑SRAM单元用于构建进行同或累加运算的电路,相较于现有的8T1C节省了电容,相较于现有的10T、12T节省了若干晶体管,可实现节省面积,提高能效的效果。本发明...
本发明涉及一种8TSRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8TSRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8TSRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式,相比传统的8T结构的存算SRAM采用的1比特输入的计算模式,能够提高计算的精度,有利于提高...
基于SRAM的核心路由器交换矩阵输入端口设计 交换矩阵是核心路由器的重要组成部分,为了避免来自不同输入端口的信元同时发往同一个输出端口,需要在输入端口设置缓冲区,即输入排队交换结构.基于静态随机存储器完成... 陈腾飞,李开航 - 《现代电子技术》 被引量: 2发表: 2012年 面向图像压缩的SRAM存算一体电路研究与设...
- KGD基于SOP封装结构 低功耗, 512Kx8 SRAM 一般物理规格 - 抛光裸硅的背面模具表面 - 典型的模具厚度= 725um +/- 15微米 - 典型的顶层金属化: = >金属(钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅) : 5.2K埃 - 顶面钝化: = >钝化( HDP / pNIT / PIQ ): 5.4K埃 - 典型的垫尺寸: 76.0um X 80.0um...
。 静态存储单元(SRAM)的典型结构:T5、T6、T7、T8都是门控管,只要栅极高电平,这些管子就工作在可变电阻区当作开关。 其中存储单元通过T5、T6和数据线(位线)相连;数据线又通过T7、T8和再经输入/输出缓冲电路和输入/输出线相连接,以实现信息的传递和交换。写入 ...
既然是分享,那就说说的车吧富士超音速 FUJI Transonic 52码碳架 碳刀 碳车把 碳车座 碳锁踏 ,除了链条和超速套件都是碳的,整车重7.1kg CORIMA s+ 碳刀轮组 42mm宽 兼顾平路和爬坡,一对只有1270克超速套件是SRAM(速联)的force套件,速联的变速套件和禧玛诺的不一样,感觉速联的手感更好一些,就是速联变速会掉...