8T SRAM是指使用8个传输门(Transmission Gate)和6个存储单元(Storage Cell)构成的一种存储器单元。而Dual Port表示该SRAM具有两个独立的输入/输出端口,可以同时进行读写操作。 2. 8T SRAM Dual Port的结构 8T SRAM Dual Port由两部分组成:存储单元和访问逻辑。存储单元由6个传输门和一个电容组成,每个传输门的...
8T SRAM Dual Port的工作原理如下: 1. 8T SRAM是一种8个传输门(8T)的静态随机访问存储器(SRAM)。每个传输门由一个P型MOSFET和一个N型MOSFET组成。 2. Dual Port表示该SRAM有两个独立的访问端口,可以同时读取和写入数据。这两个端口分别称为Port A和Port B。 3.在读取数据时,Port A和Port B可以同时访...
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(51)Int.Cl.G11C 11/412 (2006.01)G11C 11/419 (2006.01)G06F 7/57 (2006.01)G06N 3/063 (2023.01) (54)发明名称一种8T-SRAM单元及基于该种8T-SRAM单元的运算电路、芯片(57)摘要本发明涉及存内计算技术领域,更具体的,涉及一种8T‑SRAM单元,基于该种8T‑SRAM单元的运算电路,以及基于该种运算...
本发明涉及一种8T SRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8T SRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8T SRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式,相比传统的8T结构的存算SRAM采用的1比特输入的
一种8T SRAM单元及存内计算装置.pdf,本发明涉及一种8TSRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8TSRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8TSRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式,相比传统的8T
本发明公开了一种双生8TSRAM存算单元、计算系统,双生8TSRAM存算单元包括计算单元和存储单元,所述存储单元为双生8TSRAM单元,包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T;工作在存储模式时,高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离;工作在计算模式时,计算单元用于实现2bits输入数据与2...
基于自循环8T SRAM的存内逻辑运算及按行复制电路设计 随着人工智能(artificialintelligence,AI)走进大众生活的各个方面,如:人脸识别,无人驾驶,机器翻译,声纹识别以及智能客服机器人等,所需处理的数据以爆炸式增长,那么要... 电子科学与技术;电路与系统 被引量: 0发表: 0年 一种新型的针对SRAM—Based FPGAs的...
基于SRAM光栅光调制器阵列控制系统电路的研究 设计和加工了大小为8×8的控制 系统电路.通过实验表明:加工的SRAM有源矩阵单元能够实现对输出电压的更新或保持;且加工的控制系统电路能够实现对光栅光调制器阵列的... 金珠,温志渝,张智海,... - 《电子学报》 被引量: 2发表: 2010年 基于SRAM的核心路由器交换矩阵...
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1～P2,6个NMOS管N1～N6构成;其中,P1、P2、N1～N4构成经典的具有两个存储节点Q和QB的6T存储单元;N5的栅极和漏极与N6的源极相连;N5的源极接信号线NIN;N6的栅极接存储节点Q;...