型号: SQJ479EP-T1_GE3 封装: TSSOP24 批号: 22+ 数量: 8000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9V 长度: 9.1mm 宽度: 2.8mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SQJ479EP-T1_GE3 元器件,主要参数为:P-Channel 80V 32A(Tc) ±20V 68W 33mΩ@10A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 车规,SQJ479EP-T1_GE3库存充足,购买享优惠!
型号 SQJ479EP-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQJ479EP-T1_GE3 封装: POWERPAKSO-8 批号: 20+ 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8L-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续...
制造商编号 SQJ479EP-T1_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 D-SQJ479EP-T1_GE3 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 P-Channel 80V 32A(Tc) ±20V 68W 33mΩ@10A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 车规...
高可靠性:由 VISHAY 制造,SQJ479EP-T1_GE3 遵循严格的质量标准,能够在多变的工作条件下保持稳定性能。 紧凑设计:PowerPAK® SO-8 封装不仅节省空间,也减少了电路板的布线复杂度,有助于加快产品的上市时间。 4. 结论 SQJ479EP-T1_GE3 是一款集高电压、高电流处理能力、低导通电阻和广泛工作温度于一身的 ...
商品型号 SQJ479EP-T1_GE3 商品编号 C141604 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.131克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)80V 连续漏极电流(Id)32A
爱企查为您提供深圳市腾迅辉电子科技有限公司SQJ479EP-T1_GE3 电子元器件 VISHAY,INC. 批次24+等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多电子元器件、集成电路、稳压器、电源管理芯片、驱动器、存储ic、
制造商型号: SQJ479EP-T1_GE3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SQJ479EP-T1...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQJ479EP-T1_GE3、 Vishay(威世) 商品图片 商品参数 品牌: Vishay(威世) 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8L-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 ...
商品型号:SQJ479EP-T1_GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK SO-8 Single 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103378785 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 PowerPAK SO-8 Single 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 25℃时电流-连续漏极...