型号 SQJ431EP-T1_GE3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
型号: SQJ431EP-T1_GE3 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 213 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 VISHAY、 威世、 SQJ431EP、 T1、 GE3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8-4 晶体管极性: P-Cha...
SQJ431EP-T1_GE3 暂无SQJ431EP-T1_GE3 的描述信息! SQJ431EP-T1_GE3国产替代产品SQJ431EP-T1_GE3采购批发价格 SQJ431EP-T1_GE3 PDF文档 型号厂商大小 SQJ431EP-T1_GE3VISHAY/威世0.73M SQJ431EP-T1-GE3SILICONIX/硅尼克斯 SQJ431EP-T1-GE3VISHAY/威世 ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQJ431EP-T1_GE3 商品编号 C3279499 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.2235克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)200V ...
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晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V 声明:图片仅供参考,请以实物为准! 制造商: VISHAY 制造商产品编号: SQJ431EP-T1_GE3 仓库库存编号: 2617107 技术数据表: (EN) 订购热线:400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com ...
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SQJ431EP-T1_GE3 电子元器件 Vishay 封装NA 批次22+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的...
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