型号: SQJ479EP-T1_GE3 封装: TSSOP24 批号: 22+ 数量: 8000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9V 长度: 9.1mm 宽度: 2.8mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
型号 SQJ479EP-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQJ479EP-T1_GE3 封装: POWERPAKSO-8 批号: 20+ 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8L-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SQJ479EP-T1_GE3 元器件,主要参数为:P-Channel 80V 32A(Tc) ±20V 68W 33mΩ@10A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 车规,SQJ479EP-T1_GE3库存充足,购买享优惠!
制造商编号 SQJ479EP-T1_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 D-SQJ479EP-T1_GE3 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 P-Channel 80V 32A(Tc) ±20V 68W 33mΩ@10A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 车规...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SQJ479EP-T1_GE3 商品编号 C141604 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.131克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)80V 连续漏极电流(Id)32A ...
SQJ479EP-T1_GE3手册 无数据 SQJ479EP-T1_GE3概述 产品概述:SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)提供。该器件在电源管理和高功率应用中表现出色,尤其适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。以下是对 SQJ479...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQJ479EP-T1_GE3、 Vishay(威世) 商品图片 商品参数 品牌: Vishay(威世) 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8L-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 ...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQJ479EP-T1-GE3、 Vishay(威世) 商品图片 商品参数 品牌: Vishay(威世) 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 5.3mm ...
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SQJ479EP-T1_GE3现货_参数_价格_Vishay / Siliconix SQJ479EP-T1_GE3简述 制造商:Vishay / Siliconix 批号:新批次 描述:MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified SQJ479EP-T1_GE3详细参数 SQJ479EP-T1_GE3价格 其他说明 价格有优势,SQJ479EP-T1_GE3国内现货当天可发货。