型号: SQJ457EP-T1_GE3 封装: SOT669 批号: 22+ 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 36 A Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms Vgs ...
制造商产品型号:SQJ457EP-T1_GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 25°C时电流-连续漏极(Id)...
型号:SQJ457EP-T1_GE3 品牌:威世(VISHAY) 封装:PowerPAKSO8 描述:场效应管(MOSFET) SQJ457EP-T1_GE3 PowerPAK-SO-8L 国内价格 10+6.69540 100+5.78240 200+4.86940 500+4.26070 800+3.65200 3000+3.04340 库存:786 去购买 型号:SQJ457EP-T1_GE3 品牌:Vishay 封装:PowerPAKSO8 描述: 国内价格 1+5.37840...
型号 SQJ457EP-T1_GE3 种类 MOSFET 品牌 original 封装类型 SOP-8 其他属性 安装类型 Surface Mount 描述 MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 原产地 Mexico 封装/外壳 SOP-8 工作环境温度 -40~170℃ D/C NEW 应用 MOSFET 驱动器 供应类型 原始制造商 ...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SQJ457EP-T1_GE3 元器件,主要参数为:PowerPAK®SO-8 ,SQJ457EP-T1_GE3库存充足,购买享优惠!
SQJ184EP-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) 已售少于100 ￥10.1点击查看更多配送: 广东深圳至 阳泉城区 快递: 8.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 图文详情 0 本店推荐 MAP40-3000G 电源/模块AC/DC CONVERTER 5V +/-12V ...
商品型号:SQJ457EP-T1_GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK 数据手册: DATASHEET 商品编号:L205150403 商品参数 商品分类 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装 PowerPAK 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 36A(Tc) 驱动电压(最大Rd...
型号 SQJ457EP-T1-GE3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
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