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型号: SQD40P10-40L_GE3 封装: TO-252 批号: 22+/23+ 数量: 20000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms Vgs...
- 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB - 功能类型: P沟道功率MOSFET - 最大电压: -100V - 最大电流: -40A - 开通电阻: 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V - 栅源电压: ±20V - 阈值电压: -1.92V - 封装: TO252 应用简介: 这款SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块...
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型号: SQD40P10-40L_GE3 批号: 19+ 封装: TO-252-2(DPAK) 数量: 29655 QQ: 24682467 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-...
商品型号 SQD40P10-40L-GE3-VB 商品编号 C2680795 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.416克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)40A 导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V,9.2A ...
其他名称 SQD40P10-40L_GE3TR SQD40P10-40L_GE3由VISHAY设计生产,在深圳市岩旭科技有限公司现货销售,并且可以通过深圳市岩旭科技有限公司进行代购。SQD40P10-40L_GE3价格参考￥ 5.292000。SQD40P10-40L_GE3-类别 :Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single ;系列 :Automotive, ...
MOSFETs VBsemi SQD40P10-40L-GE3-VB 询价 品牌:VBsemi(微碧) 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB 商品编号: G12312531 封装规格: TO252 商品描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252可用于电源开关模块中的开关电路和...
商品型号:SQD40P10-40L_GE3 产品状态:在售 封装规格:TO-252 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103320592 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 TO-252 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25℃时电流-连续漏极(Id) 38A(Tc) 驱...