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通用MOSFET 40A(Tc) N-Channel 14 mOhms @ 20A,10V 75W(Tc) TO-252 -55℃~175℃ 60V 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格图片丝印不一定为本产品 对比 推荐 制造商编号 SQD40N06-14L_T4GE3 制造商 Vishay(威世) 唯样编号 A-SQD40N06-14L_T4GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描...
制造商编号 SQD40N06-14L_T4GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 C-SQD40N06-14L_T4GE3 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 40A(Tc) N-Channel 14 mOhms @ 20A,10V 75W(Tc) TO-252 -55℃~175℃ 60V 车规...
制造商产品型号:SQD40N06-14L_GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 25°C时电流-连续漏极(Id):40A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)...
立创商城提供VISHAY(威世)的场效应管(MOSFET)SQD40N06-14L_GE3中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购SQD40N06-14L_GE3上立创商城
商品型号:SQD40N06-14L_GE3 产品状态:在售 封装规格:TO-252 数据手册: 商品编号:L103657138 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 TO-252 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 40A(Tc) 驱动电压(最...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQD40N06-14L_T4GE3 商品编号 C3291002 商品封装 TO-252AA 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)40A ...
SQD40N06-14L-GE3&38-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高耐压、高电流和低导通电阻等特点。该器件适用于各种功率电子应用,包括电源管理、电机驱动、开关电源和LED照明等领域,为电路设计提供可靠的功率控制和效率优化。 **详细参数说明:** ...
电子管-场效应管-SQD40N06-14L_GE3-VISHAY/威世-TO-252-2022+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订...
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