1个P沟道 耐压:40V 电流:100A 品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQD40061EL-T4_GE3 商品编号 C6818637 商品封装 TO-252AA 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)40V ...
产品名称:SQD40061EL_GE3 品牌: VISHAY 包装方式:REEL 封装:TO-252 标准包装数:2000 库存渠道:联营合作库存 最小起订量:10 单价: ￥ 312 合计: ￥ 3120 订购量: - + 库存量:250 订货请联系客服QQ:2355752210 陈经理 0755-83791199 或者 提交询价! 价格梯度 售价(不含税) 10+ ￥312 50...
制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET P-CHAN 40V 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SQD40061EL_GE3价格库存等采购信息!
功率MOSFET TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 100A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@30A,10V 40V 107W(Tc) ±20V 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQD40061EL_GE3 制造商Vishay(威世) ...
SQD40061EL_GE3 PDF资料下载 参数信息 参数参数值 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 ...
GoodDatasheet提供了SQD40061EL_GE3规格参数信息和SQD40061EL_GE3的供应商信息(地址、联系电话、联系人)可免费索样,这里还提供了SQD40061EL_GE3及相关型号的PDF资料、生产厂商、功能描述、图片等信息,这里还有SQD40061EL_GE3相关型号信息。
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制造商编号 SQD40061EL_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 G-SQD40061EL_GE3 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 表面贴装型-P-通道-40V-100A(Tc)-107W(Tc)-TO-252AA分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SQD40061EL_GE3.pdf 参数信息 常见问题 参数有误?
制造商编号 SQD40061EL_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 N-SQD40061EL_GE3 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 表面贴装型-P-通道-40V-100A(Tc)-107W(Tc)-TO-252AA分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SQD40061EL_GE3.pdf 参数信息 常见问题 参数有...
SQD40061EL_GE3.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 输入电容Ciss 14500pF @ 25V 连续漏极电流Id 100A(Tc) 工作温度 -55°C...