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- 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB - 功能类型: P沟道功率MOSFET - 最大电压: -100V - 最大电流: -40A - 开通电阻: 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V - 栅源电压: ±20V - 阈值电压: -1.92V - 封装: TO252 应用简介: 这款SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块...
型号 SQD40P10-40L_GE3 PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-SQD40P10-40L_GE3-VISHAY-原厂封装-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用...
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型号 SQD40P10-40L_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQD40P10-40L_GE3 封装: TO-252 批号: 22+/23+ 数量: 20000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电...
Surface Mount Gate Source Threshold Voltage Max 2V No. of Pins 3Pins Product Range TrenchFET SVHC Lead (07-Nov-2024) Technical Docs (2) Technical Data Sheet EN Product Change Notice EN Alternatives for SQD40P10-40L_GE3 1 Product Found Legislation and Environmental Cou...
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MOSFETs VBsemi SQD40P10-40L-GE3-VB 询价 品牌:VBsemi(微碧) 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB 商品编号: DS39722007 封装规格: TO252 商品描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252可用于电源开关模块中的开关电路和...
型号: SQD40P10-40L_GE3 批号: 19+ 封装: TO-252-2(DPAK) 数量: 29655 QQ: 24682467 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-...