型号: SQD40P10-40L_GE3 封装: TO-252(DPAK) 批号: 22+ 数量: 5000 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 136W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 TO-252AA 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 漏源电压(Vdss) 100V 基本产品编号 SQD40P 可售卖地 全国 型号 SQD40P10-40L_GE3 技术参数 ...
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型号: SQD40P10-40L_GE3 批号: 19+ 封装: TO-252-2(DPAK) 数量: 29655 QQ: 24682467 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-...
- 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能类型: P沟道功率MOSFET- 最大电压: -100V- 最大电流: -40A- 开通电阻: 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V- 栅源电压: ±20V- 阈值电压: -1.92V- 封装: TO252 应用简介:这款SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块中。其具有...
SQD40P10-40L_GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stopfuture 等渠道进行代购。 SQD40P10-40L_GE3 价格参考￥ 14.5584 。 Vishay SQD40P10-40L_GE3 封装/规格: SOT428, MOSFETP-CHAN100VTO252。你可以下载 SQD40P10-40L_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...
型号 SQD40P10-40L-GE3 技术参数 品牌: VIHSAY 型号: SQD40P10-40L-GE3 封装: TO-252 批号: 21+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9.5V 长度: 8mm 宽度: 7.2mm 高度: 1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展...
型号 SQD40P10-40L_GE3 技术参数 品牌: VISHAY(威世) 型号: SQD40P10-40L_GE3 封装: TO-252 批号: 22+ 数量: 3400 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电...
SQD40P10-40L_GE3 商品编码: BM0037871981 品牌 : VISHAY(威世) 封装 : TO-252-3 包装 : 编带 重量 : 0.528g 描述 : 场效应管(MOSFET) 136W 100V 38A 1个P沟道 TO-252(DPAK) 库存: 1958(起订量1,增量1) 批次:23+ 数量: X8.96 按整: 圆盘(1圆盘有2000个) 合计:￥8.96 ...