制造商编号 SQ4850EY-T1_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SQ4850EY-T1_GE3-0 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 ±20V 6.8W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 12A 22mΩ@6A,5V 车规...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQ4850EY-T1_GE3、 VISHAY 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 数量: 3239 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOIC-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQ4850EY-T1_GE3 商品编号 C511367 商品封装 SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.11克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)12A ...
原装SQ4850EY-T1_GE3 电子元器件 欢迎询价 价格 ¥ 1.25 ¥ 1.20 ¥ 1.00 起订数 1PCS起批 100PCS起批 1000PCS起批 发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 三仓发货、 原装、 海量现货、 电子元器件 ...
商品型号 SQ4850EY-T1-GE3-VB 商品编号 C20755396 商品封装 SOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.166克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 属性参数值 连续漏极电流(Id)12A
数据表 SQ4850EY-T1_GE3.pdf AO4438_101.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@6A,5V 22 mΩ @ 8.2A,10V 漏源极电压Vds 60V 60V 产品特性 车规 - Pd-功率耗散(Max) 6.8W(Tc) 3.1W(Ta) 栅极电压Vgs ±20V ±20V FET类型 N-Channel N-Channel 封装/外...