SQ4917EY-T1-GE3-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率MOSFET,工作电压为-60V,最大漏极电流为-5.3A。其漏源电阻(RDS(ON))在VGS=10V和VGS=20V时分别为58mΩ。门阈电压(Vth)范围为-1V至-3V。该产品采用SOP8封装。 应用简介: SQ4917EY-T1-GE3-VB适用于多种领域的功率电路和模块,例如: ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQ4917EY-T1_GE3 商品编号 C511413 商品封装 SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)8A
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 Vishay、 SQ4917EY、 T1、 GE3 商品图片 商品参数 品牌: Vishay 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 2 Channel...
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