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系列 SQ 晶体管类型 1 P-Channel 宽度 3.9 mm 正向跨导 - 最小值 30 S 下降时间 44 ns 上升时间 76 ns 典型关闭延迟时间 67 ns 典型接通延迟时间 58 ns 单位重量 506.600 mg 可售卖地 全国 型号 SQ4401EY-T1_GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SQ4401EY-T1_GE3-Vishay.pdf 下载 价格...
40V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQ4401EY-T1_GE3,功率耗散最大值7.14W,采用8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,有效提升板级可靠性。SQ4401EY-T1_GE3通过AEC-Q101认证,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于其他封装MOSFET。 广泛的应用领域可用做消费电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子、LED显示屏,...
品牌:Vishay(威世) 型号: SQ4401EY-T1_GE3 商品编号: DS0080238 封装规格: SOIC-8 商品描述: 场效应管(MOSFET) 7.14W 40V 17.3A 1个P沟道 SOP-8 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) 7.14W 40V 17.3A 1个P沟道 SOP-8 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货...
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SQ4401EY-T1_GE3-VB 询价 品牌:VBsemi 型号: 商品编号: 封装规格: SOP8 商品描述: 台积电流片,长电封测。采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等。 P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±...
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企业档案 供应商品 联系企业SQ4401EY-T1_GE3 场效应管 Vishay价格 ¥ 1.00 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 IS43TR16256AL-125KBL 存储IC ISSI ¥ 1.00 FPF2195 电源负载开关 ON ¥ 1.00 CY96F315RSBPMC-GS-UJE2 电子元器件 Infineon ¥ 1.00 SI-7510 驱动...
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