型号 SQ2325ES-T1-GE3 技术参数 品牌: Vishay(威世) 型号: SQ2325ES-T1-GE3 批号: 22+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 9V 长度: 7.5mm 宽度: 8.4mm 高度: 2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
SQ2325ES-T1_GE3是一款高性能的IC电子芯片,具有多种功能和特点。本文将介绍该芯片的主要特点和应用领域。首先,SQ2325ES-T1_GE3采用了先进的封装技术,具有很小的尺寸和轻量化的特点。这使得它非常适合应用于手机、平板电脑等小型电子设备中,能够有效地节省空间和重量。其次,该芯片具有出色的性能和稳定性。它采...
品牌:Vishay(威世) 型号: SQ2325ES-T1_GE3 商品编号: DS0084175 封装规格: SOT-23 商品描述: 场效应管(MOSFET) SQ2325ES-T1_GE3 SOT-23 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) SQ2325ES-T1_GE3 SOT-23 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的...
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型号:SQ2325ES-T1_GE3 商品编号:DS0084175 封装规格:SOT-23 商品描述:表面贴装型 P 通道 150 V 840mA(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236) 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 SOT-23 零件状态 Active 系列 Automotive,AEC-Q101,TrenchFET® ...
晶体管 > Mosfet场效应管 > VBSEMI > 微碧半导体SQ2325ES-T1-GE3-VB 自营 VBSEMI微碧半导体京东自营旗舰店 关注店铺 手机下单 进店逛逛|关注店铺 关注 元器件微碧半导体(VBSEMI)SQ2325ES-T1-GE3-VB SOT23-3 N沟道200V1A场效应管电子元器件芯片MOS管样品批量可谈 ...
制造商编号SQ2325ES-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 唯样编号C-SQ2325ES-T1_GE3 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SOT-23 P-Channel 车规 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 SQ2325ES-T1_GE3.pdf sq2325es.pdf 参数信息常见问题
SQ2325ES-T1-GE3 未分类 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2325ES-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 唯样编号N-SQ2325ES-T1-GE3 供货海外代购代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据...
商品型号:SQ2325ES-T1_GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: 商品编号:L103210992 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 150V 25℃时电流-连续漏极(Id) 840mA(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,...