全新原装 NCE30P15S MOSFET场效应管P沟道30V 15ASOP8 深圳市汇芯世纪电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 SVG10120NSASOP8SILAN士兰微 增强型功率MOS场效应晶体管默认项 深圳市极致微科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录
矽源特ChipSourceTek-CST4882是一款高性能的双N-Mosfet，采用SOP8封装，具有出色的电气特性和可靠性。其最大漏源电压（BVDSS）为40V，最大连续漏极电流（ID）为8A，导通电阻（RDSON）为17mΩ，这些参数保证了它在各种应用中的稳定性和可靠性。矽源特ChipSourceTek-CST4882是SOP8封装,40V,8A的双N-Mosfet。矽源...
mos场效应管 AO4407 p沟道 30V 12A 贴片SOP8 八脚 mosfet 低压管 深圳市福田区红日盛世电子商行5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.17成交3619730PCS 蓝箭MOS场效应管 BRCS4606SC AO4606 N+P沟道 30V 6.9A-6V SOP8 深圳市光旅电子科技有限公司5年 ...
CEM4435是一款具有低电导阻和高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-7A,RDS(ON)为23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66mΩ @ 2.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为-1.37V,封装类型为SOP8。应用领域:CEM4435(VBA2317)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要P沟道功率MOSFET...
4835M-VB 是一款单P-通道MOSFET,采用SOP8封装。它具有-30V的漏源电压(VDS),20V的栅源电压(VGS)(±),以及-1.7V的阈值电压(Vth)。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高电流承受能力,在VGS为10V时的导通电阻(RDS(ON))为18mΩ,在VGS为4.5V时为24mΩ。最大漏电流(ID)为-9A,适用于需要负载控制的应...
4440W-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。具有 60V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V 的栅极-源极电压(VGS)耐受能力。该器件采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和适中的电流承载能力,适用于需要中等功率和中等电压的应用场合。 ### 二、4440W-VB SOP8 详细参数说明 ...
LSD65R380GF 电机驱动 BMS 电源同步整流 MOSFET场效应管 龙腾半导体 ￥2.48 查看详情 JA5088SL 封装SOP8 单节二合一锂电池保护芯片 ACIC/欧拉 ￥0.40 查看详情 RB3701A 封装DFN1*1 1.4μA 60mΩ 二合一锂电池保护芯片 RSEMI/晶准 ￥0.21 查看详情 KS4630HA N+P沟道 负载开关 电源管理 SOP-8 MOS场效...
CEM4435是一款具有低电导阻和高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-7A,RDS(ON)为23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66mΩ @ 2.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为-1.37V,封装类型为SOP8。 应用领域: CEM4435(VBA2317)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要P沟道功率MOSFE...
IRF7314TRPBF是一款双P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。
mos管sop8采用塑料封装,没有散热底板,散热不良,一般用于小功率MOSFET。 mos管sop8是PHILIP公司首先开发的,以后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格。 这些派生的几种封装规格中,TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。