硅LDMOS FET出现后,提供了数百、上千瓦的功率水平。但是,这些器件不能在6 GHz以上的频率使用。这个高功率的微波和毫米波段需求带动了过去新型GaN晶体管的发展,只用了几年时间就可以在30 GHz或更高的频率上轻松提供数十到数百,甚至数千瓦的功率。 据预测,GaN放大器将开始取代一些TWT卫星和雷达放大器。对于功率转...
描述了一种集成电路.该集成电路包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管.LDMOS位于集成电路的绝缘体层的第一表面上.LDMOS晶体管包括源极区,漏极区和栅极.LDMOS晶体管还包括位于漏极区和栅极之间的次级阱.次级阱的极性与漏极区相反.LDMOS晶体管还包括位于与绝缘体层的第一表面相对的第二表面上的背侧器件....
3. SOI-LDMOS器件的器件模型建立和仿真分析 4. SOI-LDMOS器件的性能优化及电路应用 5. SOI-LDMOS器件的制造工艺优化和量产方案设计 三、研究方法及技术路线 1.研究方法 本研究采用理论分析、仿真模拟和实验验证相结合的方法,综合研究射频SOI-LDMOS器件的设计和优化方法。 2.技术路线 (1)理论分析 首先对射频SOI-LD...
(54)发明名称SOI-LDMOS器件及其制作方法(57)摘要本申请提供了一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法,该器件包括SOI衬底、有源区、至少一个第一导通结构以及第二导通结构,其中,SOI衬底包括依次设置的衬底、富陷阱层、埋层氧化层、顶硅层以及栅氧化层;有源区位于顶硅层中,有源区包括体区、体接触区以及源区,体接触区与...
SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率
edu. c n 2005209224 收到 , 2005212210 定稿 可变低 k 介质层 SOI LDMOS 高压器件的耐压特性 3 罗小蓉 李肇基 张 波 ( 电子科技大学 IC 设计中心 , 成都 610054) 关键词 : 可变低 k 介质层 ; 纵向电场 ; 调制 ; R ESU R F 判据 ; 击穿电压 EEACC : 2560B ; 2560 P 中图分类号 : TN 386 ...
同时,由于 SOI 技术具有比体硅元器件更低的泄漏电流,使其可以在更高电压、更高的温度下进行工作。图13为两种典型的功率SOI器件截面图,图 13(a)为高压 LDMOS 产品,图 13(b)为超高压 LDMOS 产品,它们都分别做到不同的隔离岛上,横向、纵向都与其他元器件用介质隔离。
SOI-LDMOS器件(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN1864269A(43)申请公布日 2006.11.15 (21)申请号CN03811571.9 (22)申请日2003.05.20 (71)申请人皇家飞利浦电子股份有限公司 地址荷兰艾恩德霍芬 (72)发明人J·佩特鲁泽尔洛;B·杜福特;T·J·勒塔韦 (74)专利代理机构中国专利...