A small-signal analytical MOSFET model suitable for microwave frequency applications is presented. The effect of parasitic elements, the fringing-field effect, and distributed-gate inductance also have been incorporated. The generalized expression for Id – Vd characteristics is given, and the admittan...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-416FL-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 50 V Id-连续漏极电流: 200 mA Rds On-漏源导通电阻: 2.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V Vgs th-栅源极阈值电压: 300 mV 最小工作温度...
Small signal/small power MOSFET subcategories Industrial Automotive Infineon offers a wide range of small signal and small power MOSFETs. These products are ideally suited for space-constrained automotive, industrial, and consumer applications such as battery protection, battery charging, LED lighting, ...
品牌 东芝 封装 SOT-363 数量 100000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 6.5V 长度 7.9mm 宽度 6.6mm 高度 2.8mm 可售卖地 全国 型号 SSM6N43FU 深圳市哲航电子有限公司所有的价格均为参考价格,请亲爱的朋友们在看到宝贝...
Small Signal MOSFET Part No Maximum Ratings Electrical Characteristics File Package VGS(th)[V] Qg[nC] RDS(on) [Ω] VDSS[V] ID[mA] PD[mW] Min Max @ ID[uA] Max @ VGS[V] @ ID[mA] K2N7002K 60 300 350 1 2.5 250 0.6 3
L2N7002LT1SmallSignalMOSFET60V,115mA,N−ChannelSOT−23说明书(1)用户手册用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册 LESHAN RADIO COMPAN Y, LTD. L2N7002LT1 N–Channel SOT–23 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Drain–Source Voltage VDSS 60 Vdc 2 Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0...
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET 商标 ROHM Semiconductor 下降时间 43 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 8 ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 17 ns 典型接通延迟时间 5 ns 零件号别名 RE1J002YN 单位重量 6 mg 可售卖地 全国 型号 RE1J002YNTCL 深圳三尚电子有限公司 深...
用于工业应用的小信号MOSFET -60 V 至 -150 V 小信号 P 沟道 MOSFET 和 60 V 至 600 V 小信号 N 沟道 MOSFET 该系列器件面向工业应用,具有很高的稳健性,击穿电压 (VBRDSS) 低至 -150 V(取决于产品)。所有器件都通过了 JEDEC 认证,简化了设计人员的审批流程,使设计能够更快地推向市场。
类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 SSM3J36FS,LF 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: SSM3J36FS,LF 封装: SOT-523 批号: 20+ 数量: 150000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss)...
SSM3J325F Small-signal MOSFET DataSheet Download Japanese version(PDF:288KB) Download English version(PDF:204KB) Feature Polarity P-ch Generation U-MOSⅥ RoHS Compatible Product(s) (#) Available Assembly bases Japan / Thailand Package Information Package Image Toshiba Package Name S-Mini JEITA ...