QLC每个cell存储4bit数据,存储密度最高,成本最低,但寿命和速度也最短(理论擦写次数仅为150-300次)。QLC主要面向需要大量存储空间且价格敏感的用户群体,尽管寿命相对较短,但对普通家用和商业办公来说已经足够。 三、性能与应用场景对比 3.1 性能对比 在性能方面,SLC无疑是最优的,写入和读取速度最快,其次为MLC,再...
TLC:适用于大多数普通家庭用户与办公用户,日常使用完全够用、笔记本。 QLC:适用于预算有限且需要大量存储空间的用户,如数据存储密集但读取频率低的场景、国产。
qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,硬盘都坏不了。 正常情况下,唯一能让你换硬盘的理由是——容量不够了或者速度不够了,买硬盘之前先想好自己的用途,一般办公tlc绝对够...
其实，对SSD有所了解的人应该知道，这位大神使用的是类似模拟SLC的技术，按照NAND闪存等级，现在大致可分为SLC、MLC、TLC、QLC甚至还有PLC，性能和寿命依次减少，但可制成的容量依次增加。按照原理，SLC每个cell（存储单元）仅需存放1bit数据，MLC则是2bit数据，依此类推，QLC需容量4bit数据，要将QLC模拟成SLC，则...
SLC闪存颗粒在速度上表现出色，其次是MLC、TLC，而QLC则相对较慢。这一差异背后的原理不难理解：1bit数据仅包含0和1两种状态，而2bit数据则有00、01、10和11四种状态，每种状态都对应着特定的电子数量。随着数据可能性的增加，闪存颗粒的控制复杂性也随之上升，导致处理时间延长。此外，若要存储20bit的数据，SLC...
与TLC存储单元相比,QLC存储单元可以存储更多的数据,通常是四个比特,因此也被称为“四粒子”存储单元。相比较于TLC存储单元,QLC存储单元的存储密度更高,每个存储单元可以存储更多的数据,因此相对于SLC、MLC和TLC存储单元,QLC存储单元可以提供更高的存储容量。但是,QLC存储单元的缺点是写入速度非常慢,寿命也相对较短,...
slc>mlc>tlc>qlc 固态硬盘和U盘里的slc、mlc、tlc、qlc颗粒有什么区别? 我们计算一下使用寿命,以120G硬盘为例,假如每天写入10G数据,各个颗粒按照最低擦写次数计算, slc理论寿命=120*100000/10=1200000天=3287.67年; mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; ...
五、总结:QLC时代终究要到来 关键看怎么用 此次测试让我想起了AMD StoreMI技术,Solidigm的“主机托管缓存”看起来似乎很相似。 AMD StoreMI技术是用SSD充当HDD的缓存,让机械硬盘能有固态硬盘的体验。 “主机托管缓存”则是用“SLC”来充当SSD的缓存,让QLC SSD拥有接近SLC SSD的体验,实际测试也大致如此。
NAND Flash存储技术：SLC、MLC、TLC、QLC的区别与特点 NAND Flash，全称为Flash Memory，是一种非易失性存储设备。它基于浮栅晶体管设计，通过锁存电荷来存储数据，而且由于浮栅的电隔离特性，即使断电，数据也不会丢失。随着纳米技术的进步，NAND Flash已经从SLC发展到了MLC，进而到TLC，目前正朝着QLC的方向演进。NAN...
slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D工艺的tlc。