SLC NAND Flash 和 MLC NAND Flash 的性能差异主要体现在以下几个方面：1. 读写速度：SLC 的读写速度通常明显快于 MLC。SLC 能实现更快的数据传输，对于需要快速响应的应用更有优势。2. 数据持久性：SLC 的擦写寿命长，数据保持能力较好，在长期使用过程中数据更不容易出错。3. 出错率：SLC 的出错率相对较低...
1. 每个存储单元只存储 1 位数据。2. 具有最高的性能，读写速度快。3. 可靠性高，擦写寿命长（约 10 万次）。4. 成本相对较高，容量相对较小。MLC（Multi-Level Cell，多层单元）：1. 每个存储单元可存储 2 位数据。2. 读写速度比 SLC 稍慢，可靠性也稍低。3. 擦写寿命一般为 3000-10000 次。4. ...
MLC NAND在编程机制、氧化层损坏程度跟SLC NAND是一样时，MLC NAND的程序/删除阈值窗口只有SLC NAND的1/2，这意味着MLC NAND Flash的“擦除窗口窄化”相比MLC NAND更早、更明显，如图3所示。 目前，SLC NAND采用的4X/3Xnm技术最低的耐力(P/E Cycle)大约可达7万，相比之下，MLC NAND目前在2X/1X/1Ynm...
针对MLC NAND Flash来说,在相同电压阈值窗口需要保持4个不同的状态数据,可用的阈值窗口大小相比SLC NAND Flash,约为其1/2。MLC NAND在编程机制、氧化层损坏程度跟SLC NAND是一样时,MLC NAND的程序/删除阈值窗口只有SLC NAND的1/2,这意味着MLC NAND Flash的“擦除窗口窄化”相比MLC NAND更早、更明显,如图3所示。
今天的视频《What is NAND Flash: SLC, MLC vs. TLC, 3D NAND & More》的总结,重点阐述了NAND闪存及其不同类型和应用场景,使大家对于平时常见的各种类型的NAND以及与SSD主控芯片的关系有进一步的了解。希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频,欢迎观看和转发,我们将有
Cactus Technologies公司使用4X/3Xnm技术SLC NAND作为工业级产品,而主流的MLC NAND目前采用2Xnm技术。从上图可以看出,2Xnm NAND的Cell间耦合效应要比4X/ 3Xnm NAND高3-5倍。 在工业应用中,同样值得注意的是,在延长的阈值电压和温度范围的情况下,Cell间耦合、Cell泄漏和电压阈值变化的影响将会恶化。
通常,在工业级固态硬盘等使用中,为了获得更高的耐久性以及承受更宽的工作范围,会选择SLC NAND。 但是,随着科技的不断进步,MLC NAND工艺不断提升,更多的工业级固态硬盘开始采用MLC NAND,不过,工业级用户依然对NAND的耐久性很关心。 现在我们通过SLC与MLC NAND的结构对比,来看看MLC能否堪当大任?
在功耗方面，SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，使用1.8V电压即可驱动，而MLC架构每Cell需要存放多个bit，至少需要3.3V电压才能驱动。在制造成本方面，MLC技术通过每Cell存储更多的bit实现容量成倍跨越，相同容量的MLC NAND Flash制造成本低于SLC NAND Flash。总结而言，MLC技术是NAND Flash发展的趋势，相较...
固态硬盘（SSD）中使用的NAND闪存类型主要有SLC（单层单元）、MLC（多层单元）、TLC（三层单元）和QLC（...
我们已经证实了一个闪存单元可以储存一个还是两个比特取决于它是SLC还是MLC设备。把一群单元聚集到一起,就得到了一个page。page是您可以编程(写入)NAND闪存装置最小的结构。 大部分MLC NAND闪存的每一page是4KB。一个block是由许多page组成的,在STEC的MLC SSD中一个block包含128 pages(128 pages x 4KB/page =...